5月25日消息，據外媒報道，三星前員工因涉嫌將三星電子旗下子公司SEMES開發的半導體清洗設備技術出售給中國企業，從中獲取數百億韓元的非法利益，SEMES前研究員及同伙日前已被移交法院。

據水原地方法院25日消息，因涉嫌違反《防止不正當競爭法》《商業機密保護法》《產業技術保護法》等法律，三星電子旗下子公司SEMES前員工A某等7人日前被提起拘留起訴。

A某以研究員身份在SEMES公司任職超過10年，2018年3月起至去年12月，他盜取SEMES公司技術后，制成14臺相同配置的半導體清洗設備，與相關技術一同出售于中國企業及研究機構，從中獲取710億韓元（約合人民幣3．7億元）的報酬。

A某在從SEMES公司辭職時，未按照要求交還相關信息，從合作客戶代表處盜取設計圖紙、零件清單、藥業管道信息、操作標準、軟件等幾乎全部技術。A某團伙盜取的半導體清洗設備時SEMES專利技術制成的主力產品，在芯片制程最初階段用于清除污物。該設備可用來清洗包括硫酸在內的高溫液體，并將傳送機器人的手臂從2只增至4只，大大提高了清洗速度。

SEMES公司為研究開發這一技術投資2188億韓元，技術泄露或導致該公司每年遭受400億韓元以上的經濟損失。

A某及團伙以曾在SEMES任職的履歷為招募投資方，接受中國企業的投資后在天安成立工廠后制造設備。并同中方企業成立合資法人，轉移相關技術，以此為交易條件獲得20％的股份。在國家情報院產業機密保護中心收到舉報啟動調查后，涉案團伙曾毀滅保存于硬盤及手機中的相關證據。

據了解，SEMES是三星電子旗下的一家半導體設備供應商（三星擁90％以上的Semes的股份），同時也是韓國最大的半導體設備制造商。

目前，Semes的產品主要包括半導體前道工序領域的清洗（LOTUS、BLUEICE PRIME）、Phototrack（OMEGA－S、OMEGA－K）、蝕刻（Michelan O3、Michelan C4）設備，還有后道工序的Bonder、Probe、Test Handler等設備。

數據顯示，Semes在2021年全年的收入為3．12萬億韓元（約人民幣162億元），營業利潤為3533億韓元。這是該公司迄今為止最好的年度業績。與2020年相比，收入和營業利潤也分別增長了41％和24％。其中，晶圓廠設備占Semes的2021年收入的75％，而平板顯示設備占比1．7％。2020年，晶圓廠設備占其年收入的61．24％，而平板顯示設備占比9．9％。

根據Gartner的數據顯示，在2019年的全球半導體清洗設備市場，日本迪恩士（DNS）、日本東京電子（TEL）、韓國SEMES和美國泛林集團（Lam research）分別占據了45．10％、25．30％、14．80％和12．50％的市場。

持續擴張半導體版圖

雖然發生了“家賊”事件，但這并未影響到三星的擴張計劃，日前三星電子宣布，將在未來五年內向半導體、生物、IT等未來增長領域業務投資450兆韓元（約3560億美元），并創造 8 萬余個就業崗位。

三星表示，這一支出數額比前一個五年期增加了 30％ 以上，該公司在前一個五年期支出了 330 萬億韓元（約 1．74 萬億元人民幣），并補充說這將推動公司業務長期增長。

三星表示，這 450 萬億韓元將用于資本支出和研究支出，其中 360 萬億韓元將投資于韓國，并指出世界各國正在認識到半導體和生物制藥行業的戰略重要性。三星表示，在當前的環境下，將這些行業的供應鏈留在韓國非常重要，并表示在五年內還將創造 8 萬個新的就業機會。

三星公司的最新支出計劃是該公司去年宣布的計劃的更新版本，該公司在該計劃中說，將在三年內花費 240 萬億韓元用于戰略部門。與之前的計劃相比，每年的支出和創造的就業機會都有所提高。

投資內存芯片

在這份投資計劃中，三星電子將繼續投資于內存芯片，并加強對新材料和芯片架構的研究。投資還將集中在邏輯芯片上，如應用處理器和圖像傳感器。該公司將繼續研究新的芯片，將內存和處理功能結合到一個芯片上。

據了解，在過去 30 年中，DRAM 市場的特點是經歷了驚人的增長時期和毀滅性的崩潰年份。近年來，DRAM 市場在 2019 年下跌 37％，但在 2021 年飆升 42％。無論是什么原因，“繁榮、蕭條”的周期使主要的 DRAM 供應商的數量從 1990 年代中期的 20 家降至現在的 6 家。2021 年，三家最大的供應商三星、SK 海力士和美光總共占有 94％ 的 DRAM 市場份額。總部設在韓國的三星和 SK 海力士去年占了全球 DRAM 銷售的 71．3％。

報告顯示，憑借 44％ 的市場份額，三星在 2021 年仍然是全球最大的 DRAM 供應商，銷售額達到近 419 億美元。值得注意的是，去年三星還在多個方面推進其 DRAM 業務，包括在 2020 年 3 月率先使用極紫外（EUV）光刻技術后，于 2021 年 10 月開始大規模生產基于 EUV 的 14nm DRAM。在此過程中，三星將其最先進的 14nm DDR5 上的 EUV 層數從兩層增加到了五層 DRAM 工藝。

如今，三星將繼續投資內存芯片，顯然其還想繼續維持自身在內存芯片領域的絕對統治力。

推進3nm工藝進度

除了投資內存芯片外，三星電子還計劃提前大規模生產基于 3 納米節點的芯片。三星電子表示，如果三星的代工業務發展成為世界第一，對韓國的經濟影響將類似于增加一個比目前三星電子更大的企業集團。

據了解，目前全球僅臺積電和三星正在研發3nm芯片制程工藝，其中，對三星來說，3nm節點是他們押注芯片制程工藝趕超臺積電的關鍵，根據三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45％以上，功耗降低了50％，性能提高了約35％，紙面參數上來說要優于臺積電3nm FinFET工藝。

日前美國總統喬·拜登參觀了三星位于平澤市附近的芯片工廠，這里是目前全球唯一一個可以量產3nm工藝的晶圓廠，在此次參觀中，三星電子還首次展示了新型 3 納米芯片和環繞式柵極技術（Gate－All－Around，GAA）技術，并公開了3nm工藝制造的12英寸晶圓，不過具體是哪款芯片還不得而知。

隨著半導體在現代生活中發揮著越來越大的影響力，半導體的發展前景也因此水漲船高，于是，三星開始逐步加大對半導體領域的投資，三星認為，在當前的環境下，將半導體行業的供應鏈留在韓國非常重要。