在NAND閃存行業(yè)，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年量產(chǎn)自研的64層閃存，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)殺進(jìn)了這個(gè)行業(yè)，自研的Xtacking晶棧技術(shù)不熟三星等五大原廠，連續(xù)推出了64層、128層產(chǎn)品之后，今年要量產(chǎn)192層閃存了。

電子時(shí)報(bào)援引產(chǎn)業(yè)人士消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出產(chǎn)品。

此外，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND閃存工藝良率已改善至較好水平，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也將月產(chǎn)量擴(kuò)大至10萬(wàn)片晶圓。

預(yù)計(jì)到2023年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)月產(chǎn)量可能超過(guò)20萬(wàn)片，全球市場(chǎng)份額有望達(dá)到7-8%。

在3D閃存方面，目前美光、三星都已經(jīng)量產(chǎn)176層閃存，西數(shù)、鎧俠之前合作的是112層閃存，今年將量產(chǎn)162層堆棧的閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存技術(shù)水平達(dá)到甚至超過(guò)了他們的量產(chǎn)型閃存。

不過(guò)三星今年底將量產(chǎn)224層堆棧的新一代3D閃存，美光前幾天也官宣了232層堆棧的3D閃存，只是要到明年才能量產(chǎn)，總體上還是會(huì)領(lǐng)先國(guó)產(chǎn)1-2年時(shí)間。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)閃存來(lái)說(shuō)，目前最關(guān)鍵的地方還不是技術(shù)，而是產(chǎn)能，長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩期工程的總產(chǎn)能也不過(guò)30萬(wàn)晶圓/月，相比三星、鎧俠等公司來(lái)說(shuō)還是低不少，特別是這幾年全球半導(dǎo)體廠商都在擴(kuò)大產(chǎn)能，2021年全球產(chǎn)能應(yīng)該會(huì)超過(guò)200萬(wàn)晶圓/月，未來(lái)幾年有望超過(guò)250萬(wàn)晶圓/月。