近日，露笑科技股份有限公司（以下簡稱“露笑科技”）發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表，針對產(chǎn)線產(chǎn)能及未來擴產(chǎn)計劃等話題進行了回應(yīng)。具體內(nèi)容如下：

有投資者提問稱，公司產(chǎn)線11月全面投產(chǎn)，目前產(chǎn)能情況如何？未來有無擴產(chǎn)計劃？露笑科技表示，目前公司現(xiàn)有的襯底片年產(chǎn)能為2．5萬片，后續(xù)將根據(jù)市場訂單情況繼續(xù)進行擴產(chǎn)，預(yù)計到明年6月份之前，公司將年產(chǎn)能擴大到10萬片。

此前，露笑科技表示在6寸碳化硅的長晶領(lǐng)域有獨到的技術(shù)支持，對于目前長晶技術(shù)方面有無申請專利？長晶過程的關(guān)鍵點在哪里？對此露笑科技表示，SiC晶體生長經(jīng)歷了三個階段，即Acheson法（1891年）、Lely法（1955年）、改進的Lely法（1978年）。Acheson法主要用來生產(chǎn)磨料，現(xiàn)在仍是生產(chǎn)磨料的主要方法，鱗狀單晶片是副產(chǎn)品。Lely法的應(yīng)用使SiC晶體生長向前邁進了一步，但是和Acheson法一樣，由于無法有效控制成核，單晶尺寸小，阻礙了SiC晶體的應(yīng)用。1978年，前蘇聯(lián)科學(xué)家Tairov和Tsvetkov在前人的基礎(chǔ)上，率先使用籽晶生長出SiC單晶，稱為改進的Lely法。這是一個劃時代的發(fā)明，極大地促進了SiC晶體的生長和應(yīng)用。西屋科學(xué)技術(shù)中心的科學(xué)家對改進的Lely法進行了優(yōu)化，稱之為物理氣相輸運技術(shù)（PVT）。PVT法是目前生長SiC單晶最優(yōu)異的方法。

從SiC晶體生長的簡單歷史回顧看出，由于Tairov和Tsvetkov兩位科學(xué)家以論文的形式，報道了他們的研究成果，而沒有申請專利，因此SiC晶體生長技術(shù)（這里專指PVT法）是公開的技術(shù)，任何單位和個人都有權(quán)使用這種方法生長SiC晶體。

6英寸碳化硅晶體生長的關(guān)鍵在于溫場的調(diào)控和籽晶的粘接，這些所謂的“know－h(huán)ow”是晶體生長研究者長期實踐的總結(jié)，一般是不申請專利的。目前已公開的SiC晶體生長專利主要側(cè)重于生長設(shè)備、晶體生長的某些細節(jié)或籽晶處理等方面。露笑技術(shù)團隊經(jīng)過堅持不懈的技術(shù)攻關(guān)，全面掌握了生長工藝參數(shù)之間的耦合關(guān)系，確定了各工藝參數(shù)的優(yōu)值，具備了可重復(fù)、可批量生長碳化硅晶體的設(shè)備及技術(shù)條件。基于技術(shù)保密的需要，露笑暫未申請相關(guān)專利，待時機成熟后公司會加大專利布局的力度。

被問及公司提供的襯底產(chǎn)品在全球處于什么水平，可否用于SiC功率器件時，露笑科技表示，公司生產(chǎn)的6英寸導(dǎo)電型4H－SiC襯底片已通過下游廠商驗證，各項參數(shù)達到了P級工業(yè)應(yīng)用的國際標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品品質(zhì)處于第一梯隊。公司的碳化硅襯底片既可用于碳化硅肖特基二極管（SBD），也可以用于金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）器件，能滿足絕大多數(shù)場景碳化硅功率器件的要求。

目前，露笑科技的襯底片應(yīng)用領(lǐng)域包括碳化硅SBD二極管和MOSFET管，可以廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏等各個領(lǐng)域。公司的碳化硅襯底片車企和光伏領(lǐng)域都能應(yīng)用，目前與下游一些知名廠商在積極接洽中。目前公司碳化硅襯底片生產(chǎn)工藝穩(wěn)定，水電氣等運行也一切穩(wěn)定，規(guī)模化量產(chǎn)不存在問題。