文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211423
中文引用格式： 沈婧，薛海衛(wèi)，陳玉蓉，等. 面向SoC的SRAM讀出電路加固設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(10)：38-41，47.
英文引用格式： Shen Jing，Xue Haiwei，Chen Yurong，et al. Design of a radiation hardened read circuit of SRAM in SoC[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(10)：38-41，47.
0 引言
高能帶電粒子在器件的靈敏區(qū)內(nèi)產(chǎn)生大量帶電粒子的現(xiàn)象，它屬于電離效應(yīng)。當(dāng)能量足夠大的粒子射入集成電路時(shí)，由于電離效應(yīng)(包括次級(jí)粒子的)，產(chǎn)生數(shù)量級(jí)多的電離電子-空穴對(duì)，引起半導(dǎo)體器件的軟件錯(cuò)誤，使邏輯器件和存儲(chǔ)器產(chǎn)生單粒子翻轉(zhuǎn)，CMOS器件產(chǎn)生單粒子閉鎖，甚至出現(xiàn)單粒子永久損傷的現(xiàn)象，輻射主要包括質(zhì)子、中子、重離子和α粒子[1-3]。集成度的提高、特征尺寸的降低、臨界電荷和有效LET閾值下降等會(huì)使抗單粒子擾動(dòng)能力降低。器件的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力明顯與電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)、工藝條件等因素有關(guān)[4]。
鎖存器經(jīng)常被用于現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路中，特別是SoC和CPU的流水線結(jié)構(gòu)中[5-6]。數(shù)據(jù)讀出電路的數(shù)據(jù)鎖存也是必不可少的，因此提高鎖存器的抗單粒子能力意義重大。本文基于雙互鎖(DICE)結(jié)構(gòu)[7-8]和Muller_C單元[9-10]，對(duì)SoC片上SRAM的數(shù)據(jù)讀出電路進(jìn)行了抗輻射加固設(shè)計(jì)，并先后提出了兩種不同結(jié)構(gòu)的讀出電路。
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作者信息：
沈 婧，薛海衛(wèi)，陳玉蓉，張猛華，王 蕾
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無(wú)錫214035)
