前言

每一次神舟載人飛船和SpaceX衛星的發射升空，都能吸引眾多人關注。對于這些神秘的航天飛信器，你知道它們的信息都是怎么處理的嗎？航天飛行器信息的處理依靠CPU/FPGA，而指令的執行則憑借存儲器。目前市場上大多數售賣主芯片的廠商都是靠存儲器起家的。Excelpoint世健公司的工程師Wolfe Yu在此對存儲的分類以及它們各自的優劣進行了科普介紹。

半導體存儲器功能分類

半導體存儲器是一種能存儲大量二進制信息的半導體器件，半導體存儲器種類很多，一般按功能來分，可以分為只讀存儲器(ROM)和隨機存儲器(RAM)。

ROM結構簡單，斷電以后數據還保留著；重新上電，讀出來的數據還能恢復成原來的樣子。

圖1  ROM重新上電信息保留

RAM就不一樣了，每次上電之后，上一次的信息無法保留。

圖2  RAM重新上電信息丟失

只讀存儲器（ROM）

只讀存儲器主要分為掩膜存儲器、可編程存儲器（PROM）、電可擦寫可編程存儲器（EEPROM）和Flash等等。

早期只讀存儲器一覽

掩膜只讀存儲器：定制產品，按照用戶要求來，內部數據在出廠時就被設定好，后續無法修改。

可編程只讀存儲器：也叫“反熔絲”，比掩膜存儲器高級點，出廠時可以燒寫一次，但如果燒錯了，只好作廢換下一個。

EEPROM（E2PROM）：為了重復利用，這代產品首先研究了第一代通過紫外線擦除的EPROM產品。這代產品是將電荷通過浮柵雪崩注入MOS管（FAMOS）、或者疊柵雪崩注入MOS管（SIMOS），通過雪崩效應編程。這種產品擦出復雜，而且擦寫速度很慢。

后來經過改良升級，改采用浮柵隧道氧化層MOS管注入，取名“EEPROM”，也稱作“E2PROM”。為了提高擦寫可靠性，并保護隧道氧化層，EEPROM還會再加一個選通管。程序讀寫時，主要通過字線和位線施加脈沖來實現操作。

圖3  掩膜存儲器、反熔絲存儲器、EEPROM一覽 

快閃存儲器（Flash Memory）

快閃存儲器Flash是在EPROM和EEPROM的基礎上做了一些改進，它采用一種類似于EPROM的單管疊柵結構的存儲單元，只用一個單管來實現。

圖4  Flash存儲器單元結構

快閃存儲器Flash的結構與EPROM的SIMOS管類似，主要差異為浮柵與襯底氧化層的厚度不同，下圖是一個Flash的疊柵MOS管結構。

圖5  普通Flash的疊柵MOS管結構

快閃存儲器究竟是怎么保存數據的呢？Flash擦寫是通過改變浮柵上的電荷來實現的。寫入時，漏極經過位線接正壓，并將襯底接地，在字線上加脈沖高壓（18~20V），源級和漏極之間會發生雪崩擊穿，部分電子會穿過氧化層到達浮柵，形成浮柵充電電荷。

擦除即是將電子從浮柵移出來實現。擦除時，將字線接地，同時，在P阱和N襯底上偏置一個正的脈沖高電壓（約20V）。這時，浮柵上面的電荷又會通過隧道效應被移出。

讀取Flash時，一般在字線加正常邏輯電平（一般3.3V或者5V），源級接地，當浮柵上存在電荷時，MOS管截止，輸出1狀態信號。反之，浮柵上沒有電荷，MOS管導通，輸出0狀態信號。

圖6  Flash單元擦寫示例 

Flash過擦除（Over Erase）

快閃存儲器的本質是存儲陣列，通過對浮柵上的電荷與字線邏輯電平作比較來判斷的。以Nor Flash為例。按照正常的工作方法，字線工作，會加正常邏輯（3.3V或5V）；字線不工作，通常是懸空或者輸入0V電平。

正常情況，當字線不工作時，無正常邏輯（3.3V或5V）施壓到柵極，不論浮柵上有無電荷，MOS管都要求截止。

如果Flash出現過擦除，這時，浮柵上會表現為高壓，輸出電壓值不確定。如果電壓值剛好能使該單元的MOS管導通，此時，無論選擇哪個字線，該位線的讀值都是0V，從而影響其他單元的讀寫，這被稱為“單元泄露”。因此，為了讓Flash避免過擦除，對擦除的時候會非常小心，從而讓擦除時間變長。

圖7  Nor Flash操作示意圖

超級快閃存儲器（SuperFlash?）

前面提到，快閃存儲器的功能很強大，但擦除速度太慢。針對這一問題，Wolfe Yu介紹了世健代理的Microchip旗下SST發明的一種全新超級快閃存儲SuperFlash?技術。

圖8  SuperFlash?閃存的疊柵MOS管結構

在SuperFlash閃存中，控制柵被分成兩部分，只覆蓋一部分浮柵，它可以直接控制流入漏極的電流。

過度擦除留下的正電荷會產生單元泄漏路徑，導致閃存無法正確讀取數據。對于SuperFlash閃存來說，由于控制柵直接管理漏極邊緣，過度擦除無法使浮柵的泄漏路徑的達到漏極。所以，SuperFlash閃存不會考慮過度擦除問題，相對來說，擦除時間就會短很多。

隨機存儲器（RAM）

隨機存儲器，可以隨時隨地讀寫數據，讀寫方便，操作靈活。但是，RAM存在數據易失性的缺點。RAM主要分為動態隨機存儲器DRAM和靜態存儲器SRAM兩大類。

動態隨機存儲器（DRAM）一覽

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷來代表一個二進制比特（bit）。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量無法判別數據，從而造成數據毀損，因此DRAM需要周期性地充電。由于這種定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。

圖9  DRAM結構示意圖

靜態隨機存儲器（SRAM）

靜態隨機存取存儲器（Static Random Access Memory，SRAM）是在靜態觸發器的基礎上構成，靠觸發器的自保功能存儲數據。

SRAM的存儲單元用六只N溝道MOS管組成，其中四個MOS管組成基本RS觸發器，用于記憶二進制代碼；另外兩個做門控開關，控制觸發器和位線。

圖10  SRAM結構示意圖

RS觸發器，是最常見的基本數字鎖存單元， FPGA的LUT的主要組成部分，結構簡單，操作靈活，RS觸發器有一個致命的缺陷，容易產生競爭冒險。

圖11 SRAM構造RS觸發器數字邏輯示意圖

SRAM的單粒子翻轉事件（SEU）

RS觸發器有著非常好的鎖存性能，但也有一個設計缺陷。在實際應用中，特別是在空間環境存在輻射的一些場景，會出現帶電粒子穿過P管漏區有源區。此時，在粒子徑跡上電離產生大量電子空穴對，形成“瞬態電流”。

圖12 單粒子翻轉事件充電原理

當上管出現一次電離輻射，通過建模，可以大致算出輸出電壓脈沖和累積電荷、以及存儲電容存在一定關系。

假設，如果前級輸入是邏輯1，輸出是邏輯0，存儲單元電容為100fF，只要累積電荷達到0.65pC-0.7pC時，輸出電壓脈沖幅值>0.7V，就很容易判斷為輸出為高電平。在輸出端電壓脈沖恢復到零電平之前，通過反饋，將邏輯0寫入輸入，從而造成輸出端電壓固定在高電平，變成邏輯1，出現粒子翻轉效應。這也是我們常說的數字電路的競爭冒險現象。

圖13  RS觸發器引起競爭冒險現象

單粒子翻轉影響及加固

單粒子翻轉會造成存儲數據的改寫，特別是行業多數FPGA芯片，大多是基于SRAM型的產品。一旦工作在惡劣環境下，極有可能引發產品工作異常，最終導致整個系統失靈。

一般來說，通過三模冗余、時間冗余和錯誤檢測與糾正等電路結構設計加固方法，可對其進行改善。

不過最好的解決方法是采用Flash型FPGA。由于Flash型FPGA和基于鎖存器原理的SRAM FPGA的存儲原理完全不同，所以很難發生通過簡單的電離輻射改寫邏輯單元的情況，從而提高了可靠性。同時，Flash技術的產品的功耗也比SRAM的功耗低很多。

目前，基于Flash工藝的FPGA主要是Microchip。它擁有基于反熔絲和Flash技術的FPGA，目前市場上主流產品是第三代SmartFusion? ProASIC?3/IGLOO?、第四代SmartFusion? 2/IGLOO2和第五代PolarFire/PolarFire SoC系列。

其他存儲器（FRAM&EERAM）

相對于傳統的主流半導體存儲器，非易失性只讀存儲器(ROM)和易失性隨機存儲器（RAM），還有一些速度較快，而且非易失性存儲器，比如鐵電存儲器（FRAM）、和非易失性隨機存儲器（EERAM）。

鐵電存儲器（FRAM）

上文有提到，EEPROM是通過電荷泵對浮柵操作來做數據存儲，浮柵的擦寫需要時間，還會破壞浮柵單元，存在次數限制。鐵電存儲器（FRAM）是采用一種特殊工藝的非易失性的存儲器，是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體。

當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數據能夠繼續保存，速度快而且不容易寫壞。

鐵電存儲器是個好東西，不過有一個致命的弱點，貴。用在低成本的工業和消費場合性價比不高。

圖14  鐵電存儲器原理

非易失性隨機存儲器存儲器（EERAM）

除了上文提到的FRAM，還有一種新型非易失性隨機存儲器（EERAM），這個產品是Microchip的獨家秘籍。

圖15  非易失性隨機存儲器架構

EERAM的工作原理非常簡單，靈感來源于采用后備電池供電的SRAM，它的本質就是不需要外部電池，而是通過一個很小的外部電容器，SRAM和EEPROM之間通過IC監測共集極的電壓，一旦電源電壓較低，就通過電容供電，把SRAM的數據搬到EEPROM里面，防止信號丟失。

對于需要不斷更新的存儲數據，EERAM采用了一種特殊的工作方式，在監測到供電電壓異常的時候，通過Vcap作為備用電源，把數據從SRAM轉移到EEPROM，自動完成數據的安全轉存。

當供電重新恢復正常，EEPROM的數據又自動導出到SRAM。而且，你也可以手動刷新數據到EEPROM。

圖16  非易失性隨機存儲器用電容為SRAM轉移數據提供電源

EERAM的優勢包括： 自動通過斷電可靠地保存數據、無限次寫入數據、 低成本方案和 接近零時間的間隔寫入。這個器件性能較高，而且價格也沒有鐵電那么昂貴，非常適合防數據丟失，成本敏感的客戶。

圖17  非易失性隨機存儲器工作原理

Microchip基于先進存儲技術一攬子解決方案

隨著5G通信等市場的快速爆發，越來越多的定制產品層出不窮。由于存儲器大多都要暴露在十分苛刻的環境中，市場對萬能芯片FPGA的需求越來越大。Excepoint世健擁有專業的技術團隊，其代理的Microchip 的FLASH型FPGA能有效抵抗輻射從而提高系統的可靠性，快速的SuperFlash和創新的EERAM技術的存儲器等解決方案也都非常有特色，能幫助客戶降低存儲成本，為客戶的系統設計需求提供更多選擇。

關于世健——亞太區領先的元器件授權代理商

世健是完整解決方案的供應商，為亞洲電子廠商包括原設備生產商(OEM)、原設計生產商(ODM)和電子制造服務提供商(EMS)提供優質的元器件、工程設計及供應鏈管理服務。

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