紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。

　　近期3Ｄ NAND芯片價格走弱，長江存儲挾紫光集團(tuán)資源，投入主流NAND芯片量產(chǎn)，為市場投下震撼彈，對群聯(lián)、威剛等NAND概念股影響值得觀察。

　　另一方面，長江存儲在先進(jìn)NAND技術(shù)報捷，也將牽動后段封測廠訂單狀況，南茂先前透過處分轉(zhuǎn)投資上海宏茂科技股權(quán)予紫光集團(tuán)，成為國內(nèi)首家與紫光集團(tuán)搭上合資聯(lián)盟的業(yè)者，長江存儲大量產(chǎn)出后，南茂可望搶食相關(guān)封測訂單，成為此波大陸大舉擴(kuò)張NAND勢力的受惠臺廠。

　　據(jù)了解，長江存儲將于今天在國際性快閃存儲器指標(biāo)性盛會“快閃存儲器高峰會”（Flash Memory Summit）正式公布64層3D NAND 芯片專利，向全球展現(xiàn)大陸已具備自主研發(fā)快閃存儲器技術(shù)能力，并追上主流產(chǎn)品腳步，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計明年量產(chǎn)，加入全球列強(qiáng)競逐快速成長的NAND芯片市場。

　　消息人士透露，紫光此次選在國際性盛會公布長江存儲自行研發(fā)的64層3D NAND芯片專利，等于開放全球存儲器大廠公開檢視長江存儲的64層3D NAND芯片技術(shù)布建，向全球宣示大陸在發(fā)展快閃存儲器的腳步比前一期的32層產(chǎn)品更快，未來將會是3D NAND芯片供應(yīng)鏈的重要一員。

　　據(jù)了解，長江存儲董事長楊士寧今天親自上陣，在美國Santa Clara舉行的“快閃存儲器高峰會”正式發(fā)表長江存儲的64層 3D NAND芯片專利。目前全球僅三星、SK海力士、東芝、美光、英特爾等大廠有能力生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品。

　　長江存儲宣稱32層3D NAND芯片良率已超過九成，不過由于產(chǎn)品市場接受力有限，長江存儲只當(dāng)做練兵，月產(chǎn)能僅5,000片，預(yù)料未來進(jìn)入64層3D NAND芯片世代將加快量產(chǎn)規(guī)模，屆時對NAND市場沖擊加深，震撼業(yè)界。