2月13日消息，據(jù)BusinessKorea韓國媒體報導(dǎo)，三星正計劃將其位于中國西安的工廠升級至286層堆疊的NAND Flash閃存制程技術(shù)，以應(yīng)對當(dāng)前的市場低迷且日益激烈的競爭狀態(tài)。

報導(dǎo)指出，自2023年以來，三星一直在推動西安工廠的主流128層堆疊NAND Flash快閃記憶體制程向236層堆疊技術(shù)發(fā)展。而為了提升其競爭力，三星這次決定安裝一條286層堆疊的NAND Flash閃存生產(chǎn)線，該產(chǎn)線計劃在上半年引進所需的新設(shè)備，并計劃在下半年建立完成一條月產(chǎn)2,000至5,000片晶圓的產(chǎn)線。這項發(fā)展，預(yù)計是三星保持技術(shù)領(lǐng)先地位和確保長期產(chǎn)品競爭力策略的一部分。

資料顯示，中國西安工廠是三星唯一的海外存儲芯片生產(chǎn)基地，對該公司全球供應(yīng)鏈至關(guān)重要，生產(chǎn)了該公司約40%占比NAND Flash閃存。未來升級到286層堆疊制程之后，預(yù)計將顯著增強該工廠的生產(chǎn)能力。

此前美國拜登政府已經(jīng)決定在2023年給予三星經(jīng)過驗證的最終用戶（VEU）地位，這一地位使得三星可以在中國生產(chǎn)200層以上堆疊的NAND Flash閃存，進一步在美國限制向中國出口先進半導(dǎo)體制造設(shè)備的制裁措施下，提供了一定的回旋空間，這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢情況下，能繼續(xù)在中國進行其先進的NAND Flash閃存制造流程。

報導(dǎo)引用市場人士的說法表示，三星在國內(nèi)提升先進NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)的同時，也在中國的進行相關(guān)的技術(shù)升級，這種雙重策略凸顯了三星企圖維持在國內(nèi)外的競爭優(yōu)勢的作法。因為自2024年下半年以來，三星一直致力于將400層堆疊的NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)用于韓國平澤一號工廠量產(chǎn)線，并可能在2025年下半年實現(xiàn)初步量產(chǎn)步驟。

三星日前在公布2024年第四季的業(yè)績時表示，將加速向236層和286層堆疊的NAND Flash的生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展，以確保長期的產(chǎn)品競爭力。然而，盡管取得了這些進步，但三星預(yù)計2025年第一季每月42萬片的NAND Flash產(chǎn)量，仍較2024年第四季減少約25%。這主因是為了反映受價格上漲和利率上漲等經(jīng)濟因素，使得當(dāng)前手機和PC市場需求下滑所導(dǎo)致的供過于求現(xiàn)象。不過，人工智能數(shù)據(jù)中心等市場需求仍日益成長，推動三星等專注于高效能、高容量的NAND Flash產(chǎn)品的生產(chǎn)。