IC Insights預(yù)測(cè)，繼今年上半年半導(dǎo)體資本支出大幅增長(zhǎng)后，全年半導(dǎo)體資本支出預(yù)期上調(diào)至809億美元，比去年同期增長(zhǎng)20%，且高于預(yù)期資本支出53億美元，堪稱歷史最高。

圖1

如圖1所示，2017年為資本支出貢獻(xiàn)最大的為晶圓代工廠(28%)和閃存(24%)。隨著2016年第三季度以來DRAM價(jià)格的飆升，DRAM制造商將再次加大在這一領(lǐng)域的支出。預(yù)計(jì)到2017年，DRAM / SRAM的增長(zhǎng)將達(dá)到53%，有望成為今年資本支出增長(zhǎng)的最大百分比。經(jīng)分析，大部分資本支出仍在升級(jí)技術(shù)方面，但DRAM生產(chǎn)商SK Hynix分析稱，不單單投入在技術(shù)升級(jí)，更花費(fèi)在產(chǎn)能提高上。

即使是今年支出激增，2017年閃存(190億美元)的資本支出仍將遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DRAM / SRAM(130億美元)。IC Insights認(rèn)為，2017年閃存的所有支出都將用于3D NAND工藝技術(shù)改良，包括三星電子在韓國(guó)平澤掀起的3D NAND熱浪。

總體而言，預(yù)計(jì)在2016年強(qiáng)勁增長(zhǎng)23%之后，閃存的資本支出將在2017年實(shí)現(xiàn)33%的增長(zhǎng)。然而，歷史先例表明，資本支出的激增通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和定價(jià)疲軟。在未來幾年里，與三星、海力士、微軟、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、SanDisk和武漢新芯/長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有關(guān)的3D NAND閃存容量將有大幅度提升，而且新的中國(guó)生產(chǎn)商可能會(huì)進(jìn)入市場(chǎng)，IC Insights認(rèn)為未來隨著3D NAND 閃存市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)加大，也將會(huì)面臨更大風(fēng)險(xiǎn)