12 月 16 日消息，英特爾代工官方當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布，其已同 ASML 實(shí)現(xiàn)了首臺(tái)“二代”High NA EUV 光刻機(jī) TWINSCAN EXE:5200B 的“驗(yàn)收測(cè)試”。
相較主要用于工藝前期研發(fā)的“一代”機(jī)型 EXE:5000，EXE:5200B 身上的“量產(chǎn)用設(shè)備”味道更濃：其配備了更高功率 / 劑量的 EUV 光源，晶圓吞吐量提升到每小時(shí) 175 塊；套刻精度提升至 0.7nm；此外通過(guò)新的晶圓存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)提升了整體效果的穩(wěn)定性。
英特爾代工還在同一篇博客中提到，在 2025 IEEE IEDM 上，其與 imec 合作展示了對(duì) 2DFET 材料氧化物帽層的選擇性凹陷刻蝕以及在 12 英寸試生產(chǎn)線中制造的具有大馬士革型頂接觸的晶體管。
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