12月18日，韓國存儲芯片大廠SK海力士宣布，其256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存模塊已完成英特爾數(shù)據(jù)中心認(rèn)證流程，成為業(yè)界首款通過英特爾Xeon 6 平臺驗證的同級產(chǎn)品，將進入AI 與云端數(shù)據(jù)中心應(yīng)用市場。

據(jù)介紹，該RDIMM 內(nèi)存模塊，是基于SK海力士單Die 32Gb 第五代 10nm 級 (1b) DRAM 的高容量服務(wù)器內(nèi)存模塊，其內(nèi)部包含一個寄存器或緩沖芯片，用于在內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊中的 DRAM 芯片之間傳遞地址和命令信號。

作為一款獲得英特爾數(shù)據(jù)中心認(rèn)證的系統(tǒng)/平臺，這款 256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存模塊已經(jīng)通過英特爾高級數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室的廣泛測試和嚴(yán)格驗證，是目前業(yè)界首款經(jīng)驗證可與英特爾Xeon處理器完美搭配，提供可靠性能、兼容性和品質(zhì)的服務(wù)器內(nèi)存模塊。SK 海力士此前已于今年 1 月為其基于第四代 10nm 工藝（1a 級）芯片的 256GB 16Gb 內(nèi)存產(chǎn)品獲得了類似的認(rèn)證。

SK海力士率先在業(yè)內(nèi)驗證了其產(chǎn)品與英特爾最新服務(wù)器平臺的兼容性，展現(xiàn)了其在高容量DDR5內(nèi)存模塊領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。基于此，公司將擴大與全球主要數(shù)據(jù)中心運營商的合作，并持續(xù)引領(lǐng)下一代內(nèi)存市場，以滿足服務(wù)器客戶快速增長的需求。

在人工智能驅(qū)動的新型基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境中，內(nèi)存已成為決定性能的關(guān)鍵因素。隨著人工智能推理模型從生成簡單響應(yīng)發(fā)展到執(zhí)行復(fù)雜的邏輯運算，需要實時處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長。為了快速可靠地管理這些海量數(shù)據(jù)集，高容量、高性能內(nèi)存變得不可或缺，從而推動了市場需求的急劇增長。

SK海力士預(yù)計其最新產(chǎn)品將成為滿足這一日益增長的需求的理想解決方案。與使用基于 32Gb 芯片的 128GB 內(nèi)存模塊產(chǎn)品相比，配備該新型模塊的服務(wù)器推理性能最多可提升 16%。此外，由于采用了 32Gb DRAM 芯片，該設(shè)計比之前基于 16Gb 1a DRAM 的 256GB 產(chǎn)品功耗最多可降低約 18%。憑借更高的能效和出色的每瓦性能，該公司預(yù)計將受到數(shù)據(jù)中心客戶的廣泛關(guān)注。

SK海力士DRAM產(chǎn)品規(guī)劃與賦能負(fù)責(zé)人李相權(quán)表示：“我們現(xiàn)在能夠更快地響應(yīng)客戶需求，鞏固我們在服務(wù)器DDR5 DRAM市場的領(lǐng)先地位。作為全棧式AI內(nèi)存制造商，我們將積極滿足市場對高性能、低功耗和大容量內(nèi)存解決方案日益增長的需求，以進一步提升客戶滿意度。”

英特爾數(shù)據(jù)中心事業(yè)部平臺架構(gòu)副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“這項成果代表了英特爾和SK海力士在工程領(lǐng)域的通力合作，也體現(xiàn)了我們共同致力于推進內(nèi)存技術(shù)發(fā)展的承諾。這款高容量模塊能夠滿足人工智能應(yīng)用對高容量工作負(fù)載日益增長的需求，幫助我們的客戶在數(shù)據(jù)中心運營中實現(xiàn)更高的性能和效率。”