三星電子(Samsung Electronics)正準(zhǔn)備布局全球「第四次工業(yè)革命」浪潮趨勢(shì)，將量產(chǎn)為智能型與連網(wǎng)裝置所開(kāi)發(fā)的更快速且更高效芯片，以期鞏固該公司的全球芯片領(lǐng)導(dǎo)地位。

作為這項(xiàng)策略的一部分，據(jù)韓媒FNTIMES報(bào)導(dǎo)，三星宣布將5年投資約15億美元于其位于美國(guó)德州奧斯汀(Austin)的晶圓制造廠房，欲強(qiáng)化其4納米制程技術(shù)，被視為是三星傾向以此強(qiáng)化其系統(tǒng)LIS芯片業(yè)務(wù)以及存儲(chǔ)器芯片業(yè)務(wù)，借以預(yù)先為未來(lái)第四波工業(yè)革命時(shí)代對(duì)各類系統(tǒng)單芯片(SoC)需求成長(zhǎng)預(yù)做布局準(zhǔn)備。

據(jù)Wccftech網(wǎng)站等報(bào)導(dǎo)，三星盤據(jù)全球行動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭地位已有一段時(shí)間，自從高通(Qualcomm)Snapdragon 810處理器出現(xiàn)問(wèn)題而三星拒絕在產(chǎn)品線中采用后，高通便改成為三星的一般客戶，從那時(shí)起兩家業(yè)者便開(kāi)啟一段長(zhǎng)期、密切且復(fù)雜的合作關(guān)系，同時(shí)也合作生產(chǎn)SoC。

但最新傳言指出，高通下一代行動(dòng)處理器能將轉(zhuǎn)由臺(tái)積電代工生產(chǎn)，如果屬實(shí)意味將打破高通與三星的多年緊密合作關(guān)系，也導(dǎo)致三星必須加速自有下世代制程與節(jié)點(diǎn)的布局。

近期三星已投資購(gòu)置兩臺(tái)極紫外光(EUV)微影機(jī)臺(tái)，這將有助三星廠房在生產(chǎn)6納米制程上，速度比其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手任何廠房都還來(lái)得快速。

未來(lái)除了藉投資德州奧斯汀廠房達(dá)到其預(yù)計(jì)到了2020年投入4納米制程技術(shù)的目標(biāo)外，也將有助三星在發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及相關(guān)新興科技芯片上站穩(wěn)發(fā)展基礎(chǔ)。

三星已推出一個(gè)全面的晶圓制程技術(shù)產(chǎn)品規(guī)劃藍(lán)圖，目標(biāo)改善制程技術(shù)至更復(fù)雜的水平，三星晶圓業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Yoon Jong-shik表示，導(dǎo)入新制程技術(shù)將有助更新型態(tài)連網(wǎng)裝置的問(wèn)世。

值得注意的是，4月再傳出三星可能將推出一款全新MRAM Memory存儲(chǔ)器芯片，適合于2018年新推出裝置搭載，這將標(biāo)志著新的技術(shù)突破。至于三星這次投資德州奧斯汀廠房與蘋果可能采用三星革命性eMRAM芯片是否具有關(guān)聯(lián)性，將值得觀察。

除了持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)制程技術(shù)投資，三星也加緊努力強(qiáng)化其在全球存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的龍頭地位。三星位于韓國(guó)京畿道平澤市的全新NAND芯片生產(chǎn)廠房將于6月底開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)，以滿足市場(chǎng)上不斷成長(zhǎng)的需求及協(xié)助緩解當(dāng)前供貨短缺問(wèn)題。

三星打算在2017年底前將擴(kuò)大其最新V-NAND芯片生產(chǎn)規(guī)模，達(dá)到該公司每月NAND生產(chǎn)量5成比重以上。另外，三星也已開(kāi)始量產(chǎn)專為物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的Exynos i T200處理器。

據(jù)德州一份在地研究顯示，三星在美國(guó)芯片生產(chǎn)子公司Samsung Austin Semiconductor于2015年貢獻(xiàn)德州中部區(qū)域經(jīng)濟(jì)達(dá)36億美元，以及為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造近1.1萬(wàn)個(gè)工作機(jī)會(huì)以及4.98億美元年薪規(guī)模。自1997年創(chuàng)立以來(lái)，三星已投資超過(guò)160億美元在擴(kuò)張與維護(hù)德州奧斯汀廠房上。