甫于5/24-25舉行的Samsung Foundry Forum Event發(fā)布的諸多technology roadmap中有一個乍看下不怎么起眼的消息：三星的28nm FD-SOI(Fully Depleted Silicon on Insulator)制程有RF (射頻)與eMRAM (嵌入式磁性隨機存取存儲器)的選項，其中eMRAM的風險生產(chǎn)(risk production)為2018年；而18nm的FD-SOI制程風險生產(chǎn)將始于2020年，也有RF與eMRAM的選項。

之前于3月于美舉行的臺積電技術論壇中，臺積電發(fā)布在2017年下半年于40nm制程先以eReRAM(嵌入式電阻隨機存取存儲器)替代過去的eFlash(嵌入式快閃存儲器)；2018年下半年于28nm制程中以eMRAM替代eFlash和eDRAM。順便一提，2016年9月GlobalFoundries也發(fā)布新聞，計劃在2017年于22nm FD-SOI制程上提供eMRAM，2018年進入量產(chǎn)。

為什么晶圓產(chǎn)業(yè)在談10nm以下、甚至延伸可能至3、4nm的尖端武器軍備競賽，以及諸如EUV (Extreme Ultra Violet)的終極武器時，卻還費勁的去談28nm、甚至是40nm的傳統(tǒng)制程？原因是現(xiàn)在的IC集積度高，各種功能－譬如存儲器－都必須被集成入單一IC之中。而在制程的演進過程之中，有些傳統(tǒng)的嵌入式存儲器無法順利再被微縮，或者性能無法滿足新興起的應用，因此新的嵌入式存儲器必須被引入，以滿足持續(xù)微縮以及性能上的需求。晶圓代工業(yè)中4個還在快速成長的領域手機(mobile)、高性能計算(HPC；High Performance Computation)、汽車(automotive)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)中，汽車與物聯(lián)網(wǎng)的MCU制程正在進入這些制程世代，前者需要高速嵌入式存儲器，后者需要低功耗嵌入式存儲器，而新興的嵌入式存儲器正是以同時滿足這些需求為目的來開發(fā)的。特別是物聯(lián)網(wǎng)應用，CAGR預估為25%，為所有應用中成長最快的，是晶圓代工業(yè)的兵家必爭之地。

雖然市場對eMRAM技術需求殷切，但是從各家晶圓代工業(yè)者所公布的生產(chǎn)時程來看，時程較一、兩年前的預期都有些延宕，而且還存有不確定性。主要的原因是因為eMRAM是制程微縮研發(fā)主軸之外的技術，不是常規(guī)的研發(fā)題材；而晶圓代工以制造服務業(yè)自居、習慣由顧客來帶領方向，對于前瞻性、大轉(zhuǎn)彎的研發(fā)一向有些遲疑。

熟悉產(chǎn)業(yè)的人也許會舉反例：Samsung不是早就在2011年就并購了研發(fā)MRAM為核心事業(yè)的Grandis了嗎？是的，但是當初并購的主要目的是為了其存儲器事業(yè)部，并購后最初設計的產(chǎn)品也是DRAM-like的產(chǎn)品，雖然最終沒有成功。從這個例子恰恰好可以看出過去產(chǎn)品公司與制造服務公司對于研發(fā)思維模式的差異。但是產(chǎn)業(yè)的環(huán)境改變了，想法也得跟著改，eMRAM這個非常規(guī)的競爭軸線讓我們有機會觀察產(chǎn)業(yè)競爭策略的變遷。