半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)入10nm之后，難度越來越大，Intel為此多次調(diào)整了產(chǎn)品策略，10nm工藝的產(chǎn)品推遲到今年底，以致于很多人認(rèn)為摩爾定律將死。推動(dòng)科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會(huì)停滯不前嗎？這也不太可能，7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝，研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會(huì)支持未來15年，部分客戶已經(jīng)在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。

此前的報(bào)道中我們也解釋了半導(dǎo)體芯片制造過程中，光刻是非常關(guān)鍵的一步，決定了芯片的技術(shù)水平。目前使用的是沉浸式光刻工藝，未來則是EUV（即紫外光刻）工藝。不過EUV工藝研發(fā)實(shí)在太難了，早在2006年業(yè)界就開始聯(lián)合研發(fā)EUV工藝，直到10年后的今天，EUV光刻機(jī)才開始小批量生產(chǎn)，荷蘭ASML公司日前在財(cái)報(bào)中提到去年底他們售出6臺(tái)EUV光刻機(jī)，總數(shù)達(dá)到了18臺(tái)，總價(jià)值超過20億歐元。

今年半導(dǎo)體公司將升級(jí)到10nm節(jié)點(diǎn)，不過還是用不上EUV工藝，ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，EUV工藝才會(huì)正式啟用，那時(shí)候傳統(tǒng)的沉浸式光刻工藝也會(huì)遭遇極限。

現(xiàn)在半導(dǎo)體公司提到的新一代制程工藝除了7nm之外，還有5nm、3nm，那么更遠(yuǎn)的未來呢？ASML公司CEO Peter Wennink在接受采訪時(shí)表示EUV工藝不僅能降低7nm、5nm的成本，他們還看的更遠(yuǎn)，可支撐未來15年，也就是考慮2030年前后的工藝了，ASML表示已經(jīng)有客戶在討論未來的1.5nm工藝路線圖了。

如ASML所說，EUV工藝未來也會(huì)升級(jí)，現(xiàn)在的EUV工藝數(shù)值孔徑還是0.33，可用兩三代工藝，不過去年他們宣布20億美元入股卡爾蔡司子公司SMT，雙方將合作開發(fā)0.5孔徑的EUV工藝，還可以再支撐兩三代工藝，不過這樣的EUV光刻機(jī)要等到2024年才能問世。