加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 9 月 12 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4295，該器件適用于要求接受高達(dá) 71W 功率的應(yīng)用。下一代以太網(wǎng)供電 (PoE) 標(biāo)準(zhǔn) IEEE 802.3bt 使制造商能夠超越 2009 IEEE 802.3at 標(biāo)準(zhǔn)分配的 25.5W 功率。凌力爾特準(zhǔn)備率先提供符合下一代 IEEE 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。這個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)又稱為 PoE++ 或 4PPoE，提高了功率預(yù)算以實(shí)現(xiàn)新型應(yīng)用和功能，同時(shí)支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T)，并保持與較舊版本 IEEE 設(shè)備的向后兼容性。LT4295 符合 IEEE 802.3bt (草案 2.0) 要求，支持新宣布的功能，包括所有新增加的 PD 類別 (5、6、7 和 8)、新增加的 PD 類型 (3 類和 4 類) 以及 5 事件分級(jí)。

　　LT4295 是一款單特征 802.3bt PD 控制器，集成了一個(gè)隔離式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，提供輔助電源支持，能夠在采用高效率正向拓?fù)浜蜔o(wú)光耦合反激式拓?fù)鋾r(shí)同步運(yùn)行。由于集成度很高，所以減少了所需組件和所需占用的電路板空間，從而簡(jiǎn)化了前端 PD 設(shè)計(jì)，使 LT4295 僅憑自身這一個(gè) IC，就能夠高效地向PD 負(fù)載供電。與集成功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同，LT4295 控制一個(gè)外部 MOSFET，以顯著地降低 PD 產(chǎn)生的總體熱量，并最大限度提高電源效率，由于 802.3bt 的功率水平更高，因此這一點(diǎn)尤其重要。一個(gè)外部 MOSFET 這種架構(gòu)使用戶能夠按照應(yīng)用要求選擇 MOSFET 尺寸，基于 LT4295 的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)方案一般選用 30m?  RDS(ON) MOSFET。

　　LT4295 有工業(yè)和汽車溫度級(jí)版本，分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作溫度范圍。LT4295 的千片批購(gòu)價(jià)為每片 2.75 美元，已開(kāi)始生產(chǎn)供貨。LT4295 為包括 LT4276 和 LT4275 在內(nèi)的凌力爾特現(xiàn)有 PoE+ PD 控制器提供了一條升級(jí)途徑。為了進(jìn)一步最大限度提高可用功率，減少 PD 產(chǎn)生的熱量，可使用 LT4321 理想二極管橋式控制器。如需更多信息，請(qǐng)登錄 www.linear.com.cn/product/LT4295。

　　照片說(shuō)明：PoE++ 以太網(wǎng)供電 PD 接口控制器

　　性能概要： LT4295

　　·具正激式 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af / at / bt (草案 2.0) 受電設(shè)備 (PD)

　　·外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 用于實(shí)現(xiàn)最低功耗和最高系統(tǒng)效率

　　·支持高達(dá) 71W 的 PD

　　·5 事件分級(jí)檢測(cè)

　　·出色的浪涌保護(hù) (100V 絕對(duì)最大值)

　　·寬結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

　　·采用 LT4321 理想二極管橋時(shí)提供 >94% 的端到端效率

　　·無(wú)光耦合反激模式運(yùn)行

　　·輔助電源支持低至 9V

　　·采用 28 引線 4mm x 5mm QFN 封裝

　　本文給出的美國(guó)報(bào)價(jià)僅供預(yù)算之用。各地報(bào)價(jià)可能因當(dāng)?shù)仃P(guān)稅、各種稅款、費(fèi)用以及匯率不同而有所分別。