移動存儲產品已廣泛應用于各行各業，是不可或缺的信息交換載體，特別在日常辦公系統中，以U盤、固態移動硬盤為代表的存儲介質的使用日益普遍。而在實際應用中，移動存儲設備易丟失、易損壞、易染病毒、不可控的特性也使數據安全無法得到充分保證。因遺失、暴力破解、主動泄密、木馬攻擊等方式導致的泄密事件也在逐漸上升[1]。為了解決這一問題，國內外已經研制出多款相關安全產品，但是這些安全產品大多采用單一算法或固定的幾種算法，其靈活性和安全性都不夠高，無法滿足不同設計的安全需求[2]。

    針對現有安全SoC存在的問題，本文基于高性能嵌入式CPU構建并設計了一款密碼SoC平臺。該SoC平臺采用自主設計的安全協處理器執行密碼操作，經驗證可適用于三類主要的密碼算法[3]：對稱密鑰加密算法、散列算法和公開密鑰加密算法。此外，設計了高性能NAND Flash控制器，支持外接多種類型的NAND Flash芯片（SLC、MLC 和TLC），最大支持容量為160 GB。本設計可應用于加密U盤、加密U盤KEY、加密移動硬盤、高速加密流轉接器等設備中。
1 硬件設計
1.1 系統架構
    本文提出的密碼SoC架構如圖1所示。其中集成了兩種處理器核，分別是通用處理器（LEON2）和4個安全協處理器（Security ASIP），兩者通過系統總線相連。所有涉及加解密的運算都被映射到安全協處理器中執行。DMA控制器負責把將要執行的加解密任務按照CPU的配置分配到各安全處理器中，CPU只承擔控制和部分數據傳輸任務，絕大部分的運算由安全協處理器完成，CPU在大部分時間處于掛起（suspend）狀態，直到有中斷將其喚醒。片上存儲器主要包括EFlash/SRAM，用于存儲操作系統引導程序、用戶程序等；物理噪聲源主要用于產生真隨機數，生成密碼運算時的消息密鑰；兩個USB-OTG 接口可根據應用需求設置成Host、Device 或OTG，支持多達6 個端點，可設置成多重復合設備，最大限度地滿足用戶的設計需求；NAND Flash控制器負責產生符合NAND Flash接口操作規范的時序信號，帶有ECC校驗模塊，每512 B可修正位數為1 bit或8 bit，支持外接8片NAND Flash。另外還包含有低速通信接口、定時器、中斷控制器、存儲保護單元、功耗管理單元等輔助模塊，用于完成平臺的其他功能。

1.2 安全協處理器結構
    分析現有的安全存儲設備[4]可以發現，在使用存儲設備之前，必須對使用者進行身份驗證；文件讀寫時，必須對數據進行加解密操作；為了保證數據的完整性，必須對數據進行完整性驗證操作。所以，密碼SoC必須能夠靈活處理對稱、公鑰和雜湊三類算法，這個任務主要由安全協處理器完成。在進行安全協處理器的設計之前，必須對各類密碼的執行特點進行分析。由專門的工具[5]分析可以得出各種密碼算法的執行特點。部分AES算法的計算特征分析結果如表1所示。

    對各類密碼算法的特點進行分析后，本文提出了如圖2所示的安全協處理器架構。該安全協處理器基于傳統的RISC處理器結構所設計，分為取指令（IF）級、譯碼（ID）級、執行（EXE）級/memory訪存級和寫回（write）級四級，能支持標準的RISC指令，并且還能執行一些專門設計的特殊指令。在執行級，不僅有處理正常RISC標準指令的ALU單元，還有專用的硬件功能單元、PTLU(Parallel Table Look-Up)和MHU(Mul/Div unit&Hash Unit)，用來對算法中比較耗時的運算（如查找表、模乘等操作）進行加速。為了加快安全協處理器的指令和數據的存取速度，在協處理器內部分別嵌入1 KB大小的指令RAM和數據RAM，用來存放協處理器的指令和數據。該協處理器指令集不僅包括標準的算術和邏輯運算指令，還包括專用的密碼運算指令，如PTAES、 PTW、MOD_MUL等。

1.3 NAND Flash控制器設計
    本文設計的NAND Flash控制器[7]結構如圖3所示。NAND Flash控制器包含總線接口模塊、DMA握手接口模塊、控制狀態機轉換的主控邏輯模塊，用以緩沖數據、收發命令和狀態字的緩沖器(buffer)；提供ECC校驗糾錯功能的ECC模塊和直接控制NAND Flash存儲體的接口模塊。

    總線接口模塊負責接收CPU發送的指令，將收發數據送至相應數據寄存器和指令寄存器，并將狀態寄存器內容返回給CPU核；主控邏輯模塊負責整個Flash控制器的控制工作，包含指令、狀態、配置、數據、頁交換使能、錯誤地址等寄存器，是控制器的核心。
    ECC模塊主要負責對存入NAND Flash中的數據進行糾錯編碼并對從NAND Flash中讀出的數據進行糾錯譯碼的工作。DMA握手接口模塊在系統DMA參與數據傳輸的情況下，負責DMA與NAND Flash控制器之間的硬件握手功能。相比與直接由CPU核發送命令字給NAND Flash，然后直接從I/O 口讀寫數據的工作方式，通過DMA方式的傳輸效率明顯要高。特別在連續讀取大批量數據的情況下，這種工作方式的優點能更好地體現出來。在實際產品應用中(如數碼照片的存取)，讀寫數據量一般都是頁大小的上千倍，所以這樣的設計有助于提高產品的實用性。
    該NAND Flash控制器支持外接8片NAND Flash芯片。為了提高數據的讀寫速度，實現對并行數據讀寫的支持，控制器的數據線位寬設置為16 bit，可以支持對兩片數據線位寬為8 bit的NAND Flash的并行讀寫操作；同時，本設計對控制器的結構進行了優化，使其能夠支持對多片NAND Flash芯片的流水線讀寫操作。為了更好地支持SLC、MLC和TLC NAND Flash器件，還設計了基于漢明碼的1 bit ECC糾錯模塊和可糾正8 bit隨機錯誤的BCH編/譯碼器，用戶可以根據需要選擇相應的ECC操作。
2 高速存儲技術
    NAND Flash器件屬于低速設備。以K9WBG08U1M為例，芯片的寫入時間分為加載時間和編程時間兩部分，寫滿一頁所需的命令、地址和數據的加載時間約為102.5 ?滋s，最大編程時間約為700 μs。在寫入過程中，因還要進行BCH編碼等操作，也會消耗一些時間，所以設計中，使用最大的編程時間進行計算，而單片Flash其寫入速度最高也只有5.1 MB/s，NAND Flash的讀寫速度也會成為系統性能的瓶頸。為了解決這個問題，可以采用如下技術。
2.1 數據并行處理技術
    因Flash的數據位寬一般為8 bit，如果按傳統的操作方法對Flash進行讀寫，即寫完一片NAND Flash之后再寫下一片，其最高的存儲速度只有5.1 MB/s，無法適用于高速數據傳輸的要求。為此，本文設計的NAND Flash控制器將I/O數據線設為16 bit，主控制可以通過配置來選擇數據線的位數。當需要對數據進行并行處理時，將兩片低速Flash芯片并聯起來，使用相同的控制線、片選和讀寫信號線，組成一個多位寬的Flash組；兩片Flash并行工作時，一片存儲數據的高8 bit，一片存儲數據的低8 bit，這樣，存儲容量和存儲速度都是單片Flash的2倍。
2.2 流水線技術
    流水線技術在計算機領域得到廣泛運用，它是提高硬件資源利用率和執行效率的有效手段，該技術可以有效提高存儲系統的性能。本文設計的NAND Flash控制器中只有一個讀數據FIFO和一個寫數據FIFO，大小均為4 KB。當對一片NAND Flash進行操作時，在命令或數據加載完成后，該片NAND Flash會處于忙狀態，此時讀或寫數據FIFO由于處于空閑或等待狀態未被使用，因此控制器可以繼續對處于空閑狀態的NAND Flash進行操作，如此便形成流水線操作。還可以把兩片NAND Flash作為一組進行數據并行處理，共4組進行流水線操作，以達到最大的數據吞吐率。其流水寫操作時序如圖4所示。

3 功能驗證與性能分析
    本文采用兩塊FPGA開發板完成SoC平臺的驗證，FPGA型號均為Xilinx Virtex5-xc5vlx85，兩者之間通過自制的電路板進行通信驗證流程：首先通過JTAG接口向EFlash中下載一個boot-loader程序，用于SoC系統的啟動和測試向量的下載；SoC系統的硬件驅動和安全協處理器程序通過UART接口下載到系統中；PC端通過UART接口給出控制命令，選擇NAND Flash控制器和安全協處理的工作模式；PC端通過USB接口對NAND Flash進行數據讀寫的測試。系統工作時鐘為80 MHz，選擇K9WBG08U1M作為實體NAND Flash器件對SoC進行測試。單片K9WBG08U1M的情況下，讀速度可以達到19.3 MB/s，寫速度可以達到9.6 MB/s；兩片K9F1208UOB并行連接時，讀速度可達37.5 MB/s，寫速度可達18.4 MB/s。
    安全協處理器性能、面積與參考文獻中的設計比較結果如表2所示。

    經過SMIC 0.18 μm工藝庫的綜合，整個平臺的面積約為250萬門，最高工作頻率為100 MHz。
    本文設計的面向大安全存儲的密碼SoC集成了多個高性能安全協處理器，極大地提高了系統的密碼處理性能。設計的NAND Flash可支持外接多種類型(如SLC、MLC和TLC)的NAND Flash芯片，并且支持多片NAND Flash的并行讀寫和流水線讀寫操作，最大支持160 GB存儲容量。基于FPGA的驗證表明，其能夠靈活支持多種密碼算法的實現，具有較高的NAND Flash訪問速度。
該設計可應用于加密U盤、加密U盤KEY、加密移動硬盤、高速加密流轉接器等設備中。
參考文獻
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