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東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料
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傳統(tǒng)晶體管的極限 臺積電3nm N3P已量產(chǎn) N3X馬上來
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英飛凌推出采用新型硅封裝的 CoolGaN? G3晶體管
發(fā)表于：3/3/2025 9:34:00 PM
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TechInsights發(fā)布臺積電2nm和Intel 18A工藝細節(jié)對比
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蘋果A系列芯片10年晶體管數(shù)量增長19倍
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三極管的重要參數(shù)介紹
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臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細節(jié)和性能指標
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英飛凌推出提升消費和工業(yè)應用性能的CoolGaN 700 V功率晶體管
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晶體管成本10年前已停止下降 摩爾定律定格 28nm
發(fā)表于：2/4/2024 10:37:54 AM
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UCLA創(chuàng)建第一個穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管
發(fā)表于：12/13/2023 11:04:30 PM
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1530億晶體管:AMD發(fā)布史上最大、最強芯片！
發(fā)表于：12/12/2023 9:51:00 AM
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中國Chiplet的機遇與挑戰(zhàn)及芯片接口IP市場展望
發(fā)表于：4/4/2023 12:30:00 AM
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入門：功率放大器的工作原理及特點
發(fā)表于：2/28/2023 7:01:14 AM
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入門：運算放大器的原理 運算放大器的工作線性區(qū)特點
發(fā)表于：2/24/2023 8:58:59 PM
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硅的潛在設計——MoS 2或 WSe 2溝道
發(fā)表于：2/24/2023 8:39:43 PM
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聚硫酸鹽可廣泛用于各種高性能電子元件的原料
發(fā)表于：2/19/2023 6:52:00 AM
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超導性在“魔角”石墨烯中開啟和關(guān)閉
發(fā)表于：2/16/2023 5:36:19 PM
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1nm晶體管技術(shù)的新進展
發(fā)表于：2/15/2023 11:40:08 AM
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淘汰14nm，Intel告別最長壽的CPU工藝
發(fā)表于：2/15/2023 6:28:30 AM
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量子計算的挑戰(zhàn)、趨勢與未來
發(fā)表于：2/14/2023 6:59:39 AM
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光電耦合器MPC354引腳圖及數(shù)據(jù)手冊詳細
發(fā)表于：2/8/2023 11:32:13 PM
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教程：反饋電路分析方法詳解
發(fā)表于：1/31/2023 10:23:51 AM
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教程：運放的基本結(jié)構(gòu)及參數(shù)解讀
發(fā)表于：1/28/2023 12:19:20 AM
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中科院微電子所在晶體管器件物理領(lǐng)域取得進展
發(fā)表于：1/24/2023 8:43:15 AM
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立锜科技與宜普電源轉(zhuǎn)換攜手推出小型化、140 W快充解決方案
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直流輸入光晶體管耦合器MPC356引腳圖及功能
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2030單顆芯片容納1萬億晶體管，中國科學家設計1nm晶體管驚艷全世界
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集成高 k 鈣鈦礦氧化物和二維半導體的新型晶體管
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芯片互聯(lián)的大麻煩
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未來光年：塑造超快科技未來的先進芯片
發(fā)表于：1/2/2023 4:03:53 PM
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