微波射頻相關文章 Diodes推出能夠容忍電話線瞬變的高壓二極管陣列 Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關二極管陣列MMBD5004BRM，旨在承受DAA調制解調器正極和負極電話線接口和一般離線整流應用中最壞的線瞬變情況。 發表于：2/25/2010 4% 準確度的可編程平均輸入電流限制降壓-升壓型 DC/DC 轉換器 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出效率為 96% 的同步降壓-升壓型轉換器 LTC3127，該器件用高于、低于或等于輸出的輸入向穩定輸出電壓提供高達 1A 的輸出電流。LTC3127 具有一個準確度達 ±4% 的可編程平均輸入電流限值 (范圍為 200mA 至 1000mA)，從而使其非常適合于從 GSM 調制解調器或超級電容器充電器 (具有嚴格輸出電流限值的電源來供電)。這使系統設計師能夠最大限度地提高從受限電源吸取的電流，從而顯著改善數據速率或充電時間。LTC3127 的 1.8V 至 5.5V 輸入范圍和 1.8V 至 5.25V 的輸出范圍與所有類型的 PC 卡槽、USB 和單節鋰離子或雙節/三節堿性/鎳鎘/鎳氫金屬電池應用兼容。LTC3127 的電流模式降壓-升壓型拓撲通過所有工作模式提供連續傳輸模式，從而簡化了設計并確保卓越的性能。LTC3127 的恒定 1.35MHz 開關頻率提供低噪聲工作，同時最大限度地減小所需為數不多的幾個外部組件的尺寸。纖巧外部組件結合 3mm x 3mm DFN 或 MSOP-12 封裝為空間受限應用提供高度緊湊的占板面積 發表于：2/24/2010 Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規定的新款器件 采用緊湊的PowerPAK® MLP 6x6封裝；集成高邊、低邊功率MOSFET、驅動IC和陰極輸出二極管；具有27V的輸入電壓、超過1MHz的工作頻率和92%的高效率 發表于：2/23/2010 安森美半導體擴充功率開關產品陣容，推出高壓MOSFET系列 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈寬調制(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器，及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業照明鎮流器。 發表于：2/22/2010 Vishay發布六款新型80V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器 器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB,TO-262AA和TO-263AB封裝、具有10A～30A的電流額定范圍,典型VF低至0.57V 發表于：2/8/2010 安森美半導體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強固負載性能的方案 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業界領先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過渡電壓應力的設計。 發表于：2/3/2010 Vishay的新款TF3系列低ESR固鉭貼片電容器適用于以安全為首要考慮的應用中 器件在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25Ω;容值范圍為0.47μF~470μF;電壓范圍為4V~50V；工作溫度范圍為-55℃~+125℃ 發表于：1/29/2010 用電容實現LVDS連接交流耦合的設計分析 使用電容實現LVDS數據連接的交流耦合有很多益處，比如電平轉換、去除共模誤差以及避免輸入電壓故障的發生。本文不僅介紹了電容的適當選型，也為和終端拓撲提供指導，同時也討論了共模故障分析的問題。 發表于：1/28/2010 IR 推出適用于汽車的 DirectFET®2 功率 MOSFET，實現卓越的功率密度和性能 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 發表于：1/27/2010 Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，繼續擴展Super Junction FET®技術 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。 發表于：1/27/2010 用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器具有強大的柵極驅動 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個驅動器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。 發表于：1/27/2010 Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。 發表于：1/25/2010 Vishay推出ESD級別高達2kV的新款車用精密薄膜電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復性和穩定的性能。 由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現了穩定的薄膜，在+70℃下經過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控、能量管理、測試、傳感器標度和汽車電子產品中穩定的固定電阻應用進行了優化。 發表于：1/22/2010 Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器 發表于：1/21/2010 連接器第一講:連接器權威分類法 連接器有不同的分類方法。按照頻率分，有高頻連接器和低頻連接器；按照外形分有圓形連接器，矩形連接器；按照用途分，有印制板用連接器，機柜用連接器，音響設備用連接器，電源連接器，特殊用途連接器等等。 發表于：1/21/2010 ?…167168169170171172173174175176?
