微波射頻相關文章 IDT 推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅 CMOS振蕩器 致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求，在消費、計算和存儲應用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優異的鏈接性能，其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產品提供的晶圓形式實現了板上芯片（CoB）和多芯片模塊（MCM）組裝設計，有效節省了空間。 發表于：5/4/2010 恒憶下一代存儲助力醫療電子設計 在日前舉辦的第三屆中國國際醫療電子技術大會（CMET2010）上，恒憶嵌入式系統事業部亞洲市場部業務拓展經理祁峰為我們帶來了醫療應用市場對閃存的要求以及恒憶存儲器技術的介紹。 發表于：4/29/2010 Vishay新款TANTAMOUNT固態鉭電容可滿足宇航級應用T”-level要求 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 4 月 29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固態鉭電容器現可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應用制定的“T”-level要求。 發表于：4/29/2010 HDbaseT技術解析 以色列初創無晶圓半導體廠商Valens開發的HDbaseT技術將解決HDMI面臨的這些困難。據Valens亞洲區銷售總監Marvin介紹，HDbaseT支持最高20Gbps的傳輸速率，能更好的支持未來的3D和2K×4K視頻格式，傳輸采用普通的CAT5e/6網絡線纜，連接器也采用普通的RJ45接頭，而傳輸距離達到了100米，此外，還提供以USB、太網功能、100W的供電能力（PoC）和其他控制信號通道。 發表于：4/28/2010 SAFC HITECH® 任命 PHILIP ROSE 為新總裁；看到電子行業的巨大機會 Sigma-Aldrich® Group成員企業 SAFC® 旗下業務部門 SAFC Hitech® 今天宣布任命 Philip Rose 為公司新總裁，接替2010年4月1日退休的 Barry Leese 的工作。Philip Rose在羅門哈斯 (Rohm & Haas)（于2009年被陶氏化學 (Dow Chemical) 收購）工作了20年之后， 加盟了 SAFC Hitech，他將在 SAFC Hitech位于馬薩諸塞州黑弗里耳的部門辦公。在任職于羅門哈斯期間，他在美國、韓國和日本的研發、營銷、運營和業務開發領域擔任過多項高級職務。 發表于：4/26/2010 安森美半導體推出新的時鐘和數據多工器產品，優化實現高速、低功耗設計 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充多工器產品陣容，新推出NB6VQ572M、NB6LQ572、NB7L572、NB6L572M、NB7LQ572、NB6LQ572M、NB7VQ58M和NB7V58M 多工/扇出器件，可在高輸入速率/時鐘頻率下工作。這些新器件均適用于SONET、千兆以太網、光纖通道、背板及其他時鐘/數據分配應用。 發表于：4/26/2010 Vishay推出其最小的IHLP®器件 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 4 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標準感值，其最高頻率可達1.0MHz。 發表于：4/22/2010 在傳感器近端量化熱電偶輸出 本應用筆記介紹了熱電耦定義，并解釋了它的歷史來源。本文介紹的電路在靠近溫度傳感器的位置對熱電偶輸出進行數字轉換，與在數字化之前使弱信號通過長電纜傳輸的方案相比，該方案能夠將噪聲降至最低。 發表于：4/21/2010 電容觸控面板大缺貨 業內人士表示，電容式觸控面板因iPhone而興起，并已成為智能型手機的標準配備，不論是蘋果、諾基亞、三星與宏達電等所有手機大廠，均全面搶進，不過，電容式觸控面板的產能卻嚴重不足。 發表于：4/15/2010 對各類電子元器件價格走勢的最新分析 去年的這個時候，供貨商們還在為生存而掙扎。如今，2009年的年報已經公布，許多供應商的年報業績之好，就連最樂觀的分析師也始料未及。這種變化的原因很簡單：供應商們大幅削減成本，接下來是強勁的需求，這又導致了隨后高企的設備利用率。 發表于：4/15/2010 Power Integrations新推出的CAPZero? IC可自動對X電容進行安全放電，從而消除電源EMI濾波電路中的損耗 X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時間貯存高壓電能，因此會構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進行放電，以便滿足安全要求；但這些電阻會在AC接通后產生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。 發表于：4/15/2010 Vishay推出適用在極端惡劣環境下的新款薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網絡。 發表于：4/15/2010 Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本 通過CECC認證并符合AEC-Q200標準；具有0402至1206外形尺寸；最高薄膜溫度達+175℃，功率等級高達400mW；具有低至±15 ppm/K的TCR和±0.1%的容差 發表于：4/12/2010 RS Components與莫仕公司簽署互聯產品亞太分銷協議 國際著名電子、電機和工業產品分銷商RS Components于今日宣布，與領先連接器和互聯元件供貨商莫仕公司簽署首份亞太區分銷協議。新協議在莫仕與RS現有全球合作伙伴基礎上更進一步，是雙方合作歷史上的又一個里程碑，為滿足亞太區日益增長的需求提供更豐富的產品系列。 發表于：4/8/2010 Vishay Siliconix將第三代P溝道TrenchFET®技術擴展至雙路12V功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝。 發表于：4/8/2010 ?…167168169170171172173174175176?
