《電子技術(shù)應用》
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安森美半導體擴充功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出高壓MOSFET系列

強固的500 V及600 V MOSFET為高壓功率消費及工業(yè)應用提供快速導通并降低動態(tài)功率損耗
2010-02-22
作者:安森美半導體

  應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司市場領先的功率開關(guān)產(chǎn)品陣容,推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數(shù)校正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)段等高壓、節(jié)能應用的強固要求,在這些應用中,加快導通時間及降低動態(tài)功率損耗至關(guān)重要。具體而言,這些方案非常適合用于游戲機、打印機和筆記本電源適配器,及應用于ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業(yè)照明鎮(zhèn)流器。
  這些新的500 V和600 V器件是單N溝道MOSFET,以提供有競爭力的低導通阻抗(RDS(on))實現(xiàn)極低的功率耗散。這些器件使用平面條形(planar stripe)技術(shù),能在極苛刻應用中工作。低門電荷降低開關(guān)損耗,還提高電源能效。這些器件的額定雪崩能量在電源應用中提供強固的工作。這些器件的優(yōu)異性能組合幫助開發(fā)更高能效的電源子系統(tǒng)。
  安森美半導體MOSFET產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“推出這些器件系列僅是安森美半導體進軍高壓功率MOSFET市場的第一步。我們戰(zhàn)略性地進入了高壓開關(guān)市場,提供充沛的500 V到600 V負載開關(guān)方案選擇,更好地服務我們客戶的總體電源管理需求。未來我們將繼續(xù)擴充高壓功率MOSFET產(chǎn)品陣容,為消費及工業(yè)客戶提供針對性的方案。這些新器件的推出是安森美半導體不斷加強其業(yè)界領先高能效電源方案供應商地位的又一實例。”
  新推出的600 V MOSFET器件包括:
  •NDD02N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元
  •NDD02N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.22美元
  •NDD03N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元
  •NDD03N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.23美元
  •NDD04N60Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
  •NDD04N60ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
  •NDF04N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.27美元
  •NDF06N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.36美元
  •NDF10N60ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.42美元

  新推出的500 V MOSFET器件包括:
  •NDD05N50Z-1G,采用IPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
  •NDD05N50ZT4G,采用DPAK封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
  •NDF05N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.29美元
  •NDF08N50ZG,采用TO-220FP封裝,每10,000片批量的單價為0.38美元
  更多信息請訪問www.onsemi.cn
關(guān)于安森美半導體
  安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)是應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、LED照明、醫(yī)療、工業(yè)、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰(zhàn),既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應鏈和網(wǎng)絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn
 
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