| 采用平面分柵結(jié)構(gòu)的高增益寬帶射頻VDMOS研制 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：843 K | |
| 標(biāo)簽： 射頻 場效應(yīng)晶體管 分柵 | |
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| 文檔介紹：硅基射頻場效應(yīng)晶體管具有線性度好、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等優(yōu)點，在HF、VHF和UHF波段具有廣闊的應(yīng)用前景。針對射頻場效應(yīng)晶體管寬帶、高增益和高效率的應(yīng)用需求，基于標(biāo)準(zhǔn)平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS)。該器件在30~90 MHz頻段范圍內(nèi)，小信號增益大于19 dB，在60 MHz頻點下連續(xù)波輸出功率可以達(dá)到87 W，功率附加效率達(dá)72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能。 | |
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