| 緩沖層材料對(duì)纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN(0001)光電發(fā)射性能的影響研究 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：280 K | |
| 標(biāo)簽： GaN | |
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| 文檔介紹：利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)了GaN光電發(fā)射層，為降低GaN發(fā)射層和藍(lán)寶石襯底間的晶格失配與熱失配，在藍(lán)寶石襯底和GaN發(fā)射層間分別采用了AlN和AlxGa1-xN兩種不同的緩沖層材料。對(duì)具有不同緩沖層材料的兩種樣品進(jìn)行了表面清洗與激活，在激活結(jié)束后利用多信息量測(cè)試系統(tǒng)分別測(cè)試了樣品的光譜響應(yīng)，其最大量子效率分別為13%和20%，依據(jù)激活后光電陰極的光譜響應(yīng)作為評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，可以得出，采用組份漸變AlxGa1-xN作為緩沖層激活出的陰極具有更高的光電發(fā)射性能，從而實(shí)現(xiàn)了GaN光電陰極結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。 | |
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