| 梯度摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極的穩(wěn)定性 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：v895bv | |
| 文檔大小：478 K | |
| 標(biāo)簽： GaN | |
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| 文檔介紹：利用NEA GaN光電陰極多信息量測(cè)試評(píng)估系統(tǒng)，測(cè)試出陰極在不同情況下所對(duì)應(yīng)的量子效率曲線，根據(jù)測(cè)試曲線的不同變化規(guī)律，對(duì)反射式均勻摻雜和梯度摻雜結(jié)構(gòu)GaN光電陰極的穩(wěn)定性進(jìn)行了對(duì)比分析。由于梯度摻雜結(jié)構(gòu)可在其發(fā)射層內(nèi)部產(chǎn)生系列內(nèi)建電場(chǎng)，致使其能帶連續(xù)向下彎曲，導(dǎo)致其表面真空能級(jí)比均勻摻雜樣品下降得更低，發(fā)射層表面形成的負(fù)電子親和勢(shì)更明顯，造成發(fā)射層內(nèi)的光生電子更易逸出，陰極量子效率的衰減變慢，從而使其穩(wěn)定性強(qiáng)于均勻摻雜結(jié)構(gòu)。 | |
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