EDA與制造相關(guān)文章 Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計劃獲批 Tower與Adani投資100億美元在印度建晶圓廠計劃獲批 發(fā)表于：9/9/2024 傳臺積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當 傳臺積電亞利桑那州晶圓廠試產(chǎn)良率與南科廠相當！ 9月8日消息，據(jù)彭博社引述消息人士的話報道稱，臺積電位于美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月就已經(jīng)開始基于4nm制程進行工程測試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺積電位于中國臺灣的南科廠良率相當。臺積電表示，項目照計劃進行，并且進展良好。 發(fā)表于：9/9/2024 荷蘭政府從美國收回兩款ASML光刻機的出口管制權(quán) 9月6日，荷蘭政府今天發(fā)布了關(guān)于兩款浸沒式 DUV（深紫外光） 光刻機出口的最新許可要求，該規(guī)定將于9月7日正式生效。 根據(jù)更新后的許可要求，并根據(jù)美國出口管理條例 734.4.(a).(3)，ASML后續(xù)需要向荷蘭政府而非美國政府申請出口許可，才能出貨其 TWINSCAN NXT:1970i 和 1980i DUV 浸沒式光刻系統(tǒng)。此前，荷蘭的出口管制許可要求已適用于 TWINSCAN NXT:2000i 及后續(xù) DUV 浸沒式系統(tǒng)。ASML 的 EUV 系統(tǒng)的銷售也需遵守許可要求。 ASML官方表示，認為這一新規(guī)主要是協(xié)調(diào)頒發(fā)出口許可證的方式，即由美國政府發(fā)放許可變更為由荷蘭政府發(fā)放許可。 ASML在聲明中指出，由于這是技術(shù)性調(diào)整，因此預計不會對公司2024年的財務前景，或在2022年11月投資者日傳達的長期情景產(chǎn)生任何影響。 發(fā)表于：9/9/2024 信越化學宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓 信越化學宣布推出用于GaN器件的12英寸晶圓 發(fā)表于：9/9/2024 美國宣布加強對量子計算和半導體設備等出口管制 美國宣布加強對量子計算、半導體設備、GAAFET出口管制 發(fā)表于：9/6/2024 美光確認啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付 美光確認啟動生產(chǎn)可用版12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存交付 發(fā)表于：9/6/2024 全球2納米芯片代工三強勝負初現(xiàn) 全球2納米芯片代工領(lǐng)域競賽愈演愈烈：英特爾工藝遇挫 三星撬不動客戶！ 發(fā)表于：9/6/2024 臺積電3nm芯片產(chǎn)線正滿載運行 臺積電3nm芯片產(chǎn)線滿載運行，月度晶圓產(chǎn)能上升至約12.5萬片 發(fā)表于：9/6/2024 臺積電領(lǐng)銜臺企抱團發(fā)展先進封裝生態(tài) 臺積電CoWoS產(chǎn)能將提升4倍，臺企抱團發(fā)展先進封裝生態(tài) 發(fā)表于：9/6/2024 國家大基金一期入股國產(chǎn)EDA廠商鴻芯微納 國家大基金一期入股國產(chǎn)EDA廠商鴻芯微納：出資近5億元，持股38.7% 發(fā)表于：9/6/2024 SK海力士宣布9月底量產(chǎn)12層HBM3E SK海力士：9月底量產(chǎn)12層HBM3E 9月4日，在Semicon Taiwan 2024展會期間，SK海力士總裁Kim Ju-Seon（Justin Kim）以“釋放AI內(nèi)存技術(shù)的可能性”為題，分享SK海力士現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品和HBM相關(guān)產(chǎn)品。同時，他還宣布SK海力士將于本月底量產(chǎn)12層HBM3E，開啟HBM關(guān)鍵戰(zhàn)場。 發(fā)表于：9/5/2024 OpenAI啟動七萬億美元芯片計劃 掀翻蘋果，擺脫英偉達，OpenAI啟動七萬億美元芯片計劃 發(fā)表于：9/5/2024 三星電子宣布中國銷售部門裁員130人 9 月 4 日消息，昨日有消息稱三星電子中國公司已通知員工裁員并開始征集“自愿離職”者。根據(jù)預計，裁員規(guī)模可能涉及 1600 名區(qū)域銷售員工中的 8%，約 130 人。若“自愿離職”的員工數(shù)量不足，公司則將根據(jù)設定的標準來篩選裁員對象。 針對這一裁員傳聞，三星電子中國公司方面今日回應界面新聞稱，為提升公司的組織效率及市場競爭力，公司將進行必要的業(yè)務調(diào)整和人員優(yōu)化。通過裁減一部分重復性高的工作及崗位，以確保公司的資源能得到更好的配置，提升組織效率。 發(fā)表于：9/5/2024 消息稱三星1b nm移動內(nèi)存良率欠佳 消息稱三星1b nm移動內(nèi)存良率欠佳，影響Galaxy S25系列手機開發(fā) 發(fā)表于：9/5/2024 SK海力士：HBM5將轉(zhuǎn)向3D封裝及混合鍵合技術(shù) SK海力士：HBM5將轉(zhuǎn)向3D封裝及混合鍵合技術(shù)！ 發(fā)表于：9/5/2024 ?…69707172737475767778…?
