EDA與制造相關(guān)文章 應(yīng)用材料公司宣布裁員4% 影響超1400名員工 美國(guó)芯片設(shè)備制造商應(yīng)用材料(228.47, 7.91, 3.59%)公司宣布將裁員4%。該公司在一份文件中表示，已于周四開(kāi)始通知全球“所有級(jí)別和團(tuán)隊(duì)”的受影響員工。?應(yīng)用材料公司為包括半導(dǎo)體行業(yè)在內(nèi)的行業(yè)提供設(shè)備、服務(wù)和軟件。根據(jù)2025年8月的一份文件，該公司擁有大約36100名全職員工。4%的裁員將代表約1444名員工。 發(fā)表于：10/24/2025 邁向智造新紀(jì)元：第106屆中國(guó)電子展實(shí)裝示范線全線就緒 第106屆中國(guó)電子展將于2025年11月5日至7日在上海新國(guó)際博覽中心N5、N4館隆重舉辦。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)將匯聚國(guó)內(nèi)頂尖智能裝備與軟件企業(yè)，重點(diǎn)以實(shí)時(shí)組裝演示為核心，生動(dòng)呈現(xiàn)“電子智能制造工廠（實(shí)裝）示范線”。該產(chǎn)線全景式演繹從PCB上料到成品產(chǎn)出的全流程自動(dòng)化、數(shù)字化與智能化作業(yè)，標(biāo)志著中國(guó)電子智能制造解決方案已邁入高效協(xié)同、自主可控的新階段，為行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)打造了具備高度參考價(jià)值的“樣板工程”。 發(fā)表于：10/24/2025 三星閃存芯片首次進(jìn)入3D晶體管時(shí)代 10月23日消息，自從Intel首次在22nm工藝節(jié)點(diǎn)引入Finfet晶體管之后，邏輯工藝正式進(jìn)入3D時(shí)代，現(xiàn)在三星也要在閃存芯片上首發(fā)3D晶體管技術(shù)了。 發(fā)表于：10/24/2025 安世半導(dǎo)體風(fēng)波持續(xù) 大眾汽車(chē)因芯片短缺將暫停部分生產(chǎn) 10月24日消息，由于芯片供應(yīng)形勢(shì)進(jìn)一步惡化，德國(guó)經(jīng)濟(jì)部近日召開(kāi)了一場(chǎng)緊急危機(jī)會(huì)議，邀請(qǐng)汽車(chē)與電氣技術(shù)行業(yè)的主要企業(yè)代表參加。 發(fā)表于：10/24/2025 臺(tái)積電自研EUV光罩保護(hù)膜 推遲導(dǎo)入High-NA EUV光刻機(jī) 10月22日消息，光罩大廠Tekscend Photomask（科盛德光罩）近日于日本東京證交所掛牌上市，募資規(guī)模達(dá)1,566億元日元。而隨著Tekscend Photomask的上市，象征著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前進(jìn)至埃米制程，扮演最前端制程的光罩重要性大大增加。供應(yīng)鏈指出，光罩好比芯片制作的底片，光罩受污染會(huì)導(dǎo)致無(wú)法提升最終良率。因此，臺(tái)積電自研光罩保護(hù)膜（Pellicle），主要因?yàn)?nm以下光罩開(kāi)發(fā)成本昂貴，制程須加上防止灰塵與顆粒的護(hù)膜，做為關(guān)鍵防護(hù)作用。顯示臺(tái)積電維持采購(gòu)標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)生產(chǎn)A14、A10制程。 發(fā)表于：10/24/2025 三星宣布計(jì)劃將FinFET制程導(dǎo)入NAND Flash 10月23日消息，三星電子在SEDEX 2025上宣布，計(jì)劃將鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程技術(shù)應(yīng)用于NAND Flash閃存生產(chǎn)上。這一舉動(dòng)被解讀為三星為應(yīng)對(duì)人工智能（AI）芯片對(duì)更大容量NAND Flash閃存的需求所做的準(zhǔn)備。不過(guò)，這是一項(xiàng)技術(shù)屬于未來(lái)技術(shù)，實(shí)際應(yīng)用仍需時(shí)間。 發(fā)表于：10/24/2025 三星Exynos 2600目前良率僅50% 10月23日消息，雖然有傳聞稱(chēng)，三星新一代旗艦智能手機(jī)Galaxy S26系列即將搭載的Exynos 2600處理器已經(jīng)量產(chǎn)，但最新的信息顯示，Exynos 2600初期的產(chǎn)能和良率都很有限，這也使得Galaxy S26系列可能難以大部分采用Exynos 2600處理器。 發(fā)表于：10/24/2025 從阿斯麥到安世半導(dǎo)體 荷蘭在做什么？ 據(jù)商務(wù)部網(wǎng)站消息，10月21日，商務(wù)部部長(zhǎng)王文濤應(yīng)約分別與歐盟委員會(huì)貿(mào)易和經(jīng)濟(jì)安全委員謝夫喬維奇、荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣卡雷曼斯進(jìn)行視頻會(huì)談、通話。在中歐、中荷的溝通中，安世半導(dǎo)體問(wèn)題成為焦點(diǎn)。 發(fā)表于：10/23/2025 三星和SK海力士將DRAM價(jià)格再次上調(diào) 三星電子、SK海力士等主要內(nèi)存供應(yīng)商將在今年第四季度向客戶調(diào)整報(bào)價(jià)，DRAM和NAND閃存價(jià)格上調(diào)幅度將高達(dá)30%，以滿足AI驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。 發(fā)表于：10/23/2025 荷蘭安世警告客戶不要買(mǎi)中國(guó)工廠的芯片 10月22日，據(jù)荷蘭當(dāng)?shù)孛襟wFd.nl報(bào)道，荷蘭安世半導(dǎo)體（Nexperia）已經(jīng)向其客戶發(fā)出警告，它無(wú)法再保證來(lái)自其中國(guó)工廠的芯片質(zhì)量。言下之意就是，警告客戶不要購(gòu)買(mǎi)中國(guó)工廠生產(chǎn)的安世半導(dǎo)體芯片。 發(fā)表于：10/23/2025 三星將與臺(tái)積電共同制造特斯拉AI5芯片 10 月 23 日消息，特斯拉公司首席執(zhí)行官埃隆?馬斯克表示，三星電子正在更多地參與制造這家汽車(chē)制造商的芯片，表明這家韓國(guó)企業(yè)正逐步進(jìn)入原本由臺(tái)積電主導(dǎo)的市場(chǎng)。 發(fā)表于：10/23/2025 ASML發(fā)貨第一款革命性3D封裝光刻機(jī) 10月22日消息，ASML(阿斯麥)宣布，已經(jīng)向客戶交付第一臺(tái)專(zhuān)為先進(jìn)封裝應(yīng)用開(kāi)發(fā)的光刻機(jī)“TWINSCAN XT:260”，可用于3D芯片、Chiplets芯粒的制造與封裝。 發(fā)表于：10/22/2025 SK海力士第二代DDR5內(nèi)存A-Die顆?，F(xiàn)身 10 月 22 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日（10 月 21 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)在 SK海力士第二代 3Gb DDR5 內(nèi)存芯片曝光，推測(cè)其原生 JEDEC 速度可能高達(dá) 7200 MT/s。 發(fā)表于：10/22/2025 芯片大廠德州儀器再次發(fā)布悲觀展望 10月22日消息，全球芯片行業(yè)目前有點(diǎn)“冰火兩重天”的味道，一邊是存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期的到來(lái)，另一邊卻是邏輯芯片大廠的謹(jǐn)慎觀望。美東時(shí)間周二盤(pán)后，全最大的模擬芯片制造商德州儀器公司公布了第三季度財(cái)報(bào)，并對(duì)第四季度做出了悲觀的業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)，這進(jìn)一步加劇了人們對(duì)這一細(xì)分半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇乏力的擔(dān)憂。 發(fā)表于：10/22/2025 美國(guó)的缺鎵困境難解 10月22日消息，近日美國(guó)“大西洋理事會(huì)”發(fā)布了一份報(bào)告，介紹了中國(guó)宣布對(duì)金屬鎵及相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制之后，美國(guó)所面臨的“缺鎵”困境，以及希望通過(guò)“廢物制鎵”的方式，回收已經(jīng)流經(jīng)美國(guó)國(guó)內(nèi)工業(yè)體系的鎵。 發(fā)表于：10/22/2025 ?12345678910…?
