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場(chǎng)效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)電的最小柵源電壓。

發(fā)表于：2024/12/23

場(chǎng)效應(yīng)管的主要類(lèi)型介紹

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號(hào)處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級(jí)或輸出級(jí)。

發(fā)表于：2024/12/23

三極管的重要參數(shù)介紹

三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類(lèi)型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類(lèi)型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)：

發(fā)表于：2024/12/23

三極管的主要類(lèi)型介紹

半導(dǎo)體三極管，也被稱(chēng)為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。

發(fā)表于：2024/12/23

二極管的重要參數(shù)介紹

二極管的重要參數(shù)包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導(dǎo)通電流（IFM）、靜態(tài)電阻（RS）、正向壓降（VF）、動(dòng)態(tài)電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）、反向恢復(fù)電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。??

發(fā)表于：2024/12/23

二極管的主要類(lèi)型介紹

二極管是一種具有兩個(gè)電極的電子器件，其主要功能是允許電流在一個(gè)方向上通過(guò)，而在另一個(gè)方向上則阻止電流通過(guò)，這種特性被稱(chēng)為單向?qū)щ娦浴? 具體來(lái)說(shuō)，二極管由兩個(gè)主要部分構(gòu)成：一個(gè)是P型半導(dǎo)體，另一個(gè)是N型半導(dǎo)體，它們的交界處形成PN結(jié)。

發(fā)表于：2024/12/23

北電數(shù)智構(gòu)建首個(gè)國(guó)產(chǎn)算力PoC平臺(tái) 助力國(guó)產(chǎn)算力場(chǎng)景化應(yīng)用

　　近日，2024中國(guó)企業(yè)家博鰲論壇-2024數(shù)字科技創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)盛大舉行，共話AI行業(yè)發(fā)展。北京電?數(shù)智科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“北電數(shù)智”）董事長(zhǎng)荊磊發(fā)表《打造“AI工廠”，建設(shè)數(shù)字中國(guó)》主題演講，梳理了當(dāng)前我國(guó)AI行業(yè)發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn)，并分享北電數(shù)智的解題思路和實(shí)踐路徑。

發(fā)表于：2024/12/23

英特爾股東起訴前CEO基辛格

12月20日消息，據(jù)The Register 報(bào)道，英特爾股東 LR Trust 已對(duì)英特爾高管提起訴訟，指控英特爾前首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）和英特爾臨時(shí)聯(lián)合首席執(zhí)行官兼首席財(cái)務(wù)官大衛(wèi)·津斯納（David Zinsner）管理不善、誤導(dǎo)性披露，并要求將他們獲得的賠償金和其他收益退還給公司。在列出的要求中，該股東要求基辛格退還其在 2021 年、2022 年和 2023 年任職期間賺取的 2.07 億美元工資的全部款項(xiàng)。

發(fā)表于：2024/12/23

2023年中國(guó)廠商占據(jù)了全球SiC專(zhuān)利申請(qǐng)量的70%

近日，法國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)KnowMade最新發(fā)布的一份針對(duì)碳化硅（SiC）的知識(shí)產(chǎn)權(quán) （IP）報(bào)告，全面介紹了全球最近的碳化硅專(zhuān)利申請(qǐng)活動(dòng)。在該報(bào)告中，KnowMade重點(diǎn)介紹了整個(gè)碳化硅供應(yīng)鏈中最新的專(zhuān)利動(dòng)態(tài)，并重點(diǎn)介紹了SiC行業(yè)內(nèi)一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的專(zhuān)利動(dòng)態(tài)。

發(fā)表于：2024/12/23

晶華微宣布2億元收購(gòu)芯邦智芯微100%股權(quán)

晶華微宣布2億元收購(gòu)智芯微100%股權(quán)，承諾未來(lái)三年凈利不低于4000萬(wàn)元

發(fā)表于：2024/12/23

美光公布其HBM4和HBM4E項(xiàng)目最新進(jìn)展

12 月 22 日消息，據(jù)外媒 Wccftech 今日?qǐng)?bào)道，美光發(fā)布了其 HBM4 和 HBM4E 項(xiàng)目的最新進(jìn)展。具體來(lái)看，下一代 HBM4 內(nèi)存采用 2048 位接口，計(jì)劃在 2026 年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)，而 HBM4E 將會(huì)在后續(xù)幾年推出。 HBM4E 不僅會(huì)提供比 HBM4 更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，還可根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片，這一變化有望推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

發(fā)表于：2024/12/23

NVIDIA有望采用日本Rapidus 2nm工藝

12月22日消息，日本半導(dǎo)體代工企業(yè)Rapidus日前宣布，已接收到從ASML采購(gòu)的先進(jìn)EUV光刻機(jī)并開(kāi)始安裝，這也是日本首家擁有EUV光刻機(jī)的公司。 Rapidus計(jì)劃2025年春季完成2nm芯片原型開(kāi)發(fā)，并在2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，相比之下臺(tái)積電則計(jì)劃2025年開(kāi)始量產(chǎn)2nm芯片。至于Rapidus目前的2nm客戶(hù)，Rapidus CEO小池淳義先前透露，正在與40家客戶(hù)洽談，預(yù)計(jì)明年以后才能對(duì)外公布。 NVIDIA CEO在上個(gè)月13日暗示，未來(lái)可能考慮委托Rapidus代工生產(chǎn)AI芯片，他強(qiáng)調(diào)供應(yīng)鏈多元化的重要性，并對(duì)Rapidus的能力有信心。 Rapidus CEO小池淳義還表示，盡管臺(tái)積電在2納米芯片的量產(chǎn)時(shí)程上領(lǐng)先，但Rapidus有信心在制程進(jìn)度上具有優(yōu)勢(shì)，并能快速提升良率和效能，追趕上臺(tái)積電。 Rapidus于2022年8月成立，被視為日本的“半導(dǎo)體國(guó)家隊(duì)”，是由日本政府以及索尼、豐田、鎧俠、NTT、軟銀、NEC、電裝與三菱日聯(lián)銀行等8家日本企業(yè)共同出資組成。

發(fā)表于：2024/12/23

國(guó)產(chǎn)DDR5內(nèi)存首次拆解

12月23日消息，近日，金百達(dá)、光威幾乎同時(shí)發(fā)布了基于國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR5內(nèi)存，但都沒(méi)有明確說(shuō)來(lái)自誰(shuí)，雖然大家都能猜得八九不離十。網(wǎng)友“WittmanARC”第一時(shí)間入手了金百達(dá)的新內(nèi)存，第一時(shí)間拆開(kāi)看了看。

發(fā)表于：2024/12/23

傳美國(guó)計(jì)劃將算能科技列入實(shí)體清單

傳美國(guó)計(jì)劃將算能科技列入實(shí)體清單！

發(fā)表于：2024/12/23

Silicon Box先進(jìn)封測(cè)工廠獲意大利政府13億歐元補(bǔ)貼

發(fā)表于：2024/12/23