7月20日消息，據Tom’s hardware 的報導，日本新創晶圓代工廠商Rapidus 已經啟動了2nm制程晶圓的測試生產，并計劃推動其IIM-1 廠區的2nm制程在2027年量產。

報道稱，Rapidus的IIM-1 廠區已經展開對采用2nm環繞柵極（GAA）晶體管技術的測試晶圓進行原型制作。Rapidus公司確認，早期測試晶圓已達到預期的電氣特性，這表示其晶圓廠設備運作正常，制程技術開發進展順利。

業界分析稱，原型制作是半導體生產中的一個重要里程碑，目的在驗證使用新技術制造的早期測試電路是否可靠、高效并達到性能目標。Rapidus 目前正在測量其測試電路的電氣特性，包括臨界電壓、驅動電流、漏電流、次臨界斜率、開關速度、功耗和電容等參數。盡管Rapidus 未公開具體結果，但測試晶圓已在晶圓廠內流動本身就意義重大。

根據之前披露的信息顯示，Rapidus 的IIM-1 廠區自2023年9月動工，無塵室于2024年完成，截至2025年6月已連接超過200套設備，包括先進的DUV 和EUV光刻工具。Rapidus 于2024年12月安裝了先進的EUV 工具，并于2025年4月成功進行了首次曝光。目前，該廠區已足夠成熟運行測試晶圓，讓Rapidus 測量其GAA 構架電路的電氣特性，以識別潛在的制程問題，并調整工具或制造步驟的設定。

報導強調，Rapidus 在其公告中特別提到，其IIM-1 廠區將對所有前段制程步驟采用「單晶圓處理」方法。這是一種半導體制造方法，其中每片晶圓都是單獨處理、加工和檢查，而非以組合方式進行。目前，英特爾、三星和臺積電等大型芯片制造商在其半導體制造過程中，采用組合和單晶圓處理方法的組合。單晶圓處理通常用于需要高精度的關鍵步驟，如EUV 和DUV 圖形化、等離子蝕刻、原子層沉積或缺陷監控。而對于氧化、離子植入、清洗和退火等其他步驟，它們則以組合方式處理晶圓。

Rapidus 計劃將單晶圓方法應用于所有制程步驟，包括氧化、離子植入、圖形化、沉積、蝕刻、清洗和退火等。Rapidus 表示，這種方法能精確控制每次操作，因為可以根據單片晶圓的條件或結果進行具體調整。由于每片晶圓都是獨立處理的，工程師可以即時微調參數，提早檢測異常，并迅速應用校正，無需等待整個組合測試的完成。

此外，這種方法產生每片晶圓的高分辨率數據量更大，可用于監控和優化制造條件的AI 算法。這些算法可能能夠更快的收集信息，用于持續制程改進（CPI）以降低缺陷密度和提高良率，以及用于統計制程控制（SPC）以減少性能變異。單晶圓制程系統也更容易改變設定并在小批量和大量生產之間切換，這對Rapidus 來說很重要，因為其目標是服務較小的制造商。

然而，這種方法也存在一些必須條件。由于晶圓一次一片的處理，每個工具的產量（某些工具）會比大量處理低，可能延長生產周期時間，并增加生產成本。這使得所需的設備更復雜且昂貴，而且單獨協調所有步驟中晶圓的移動會增加額外開銷。盡管如此，Rapidus 相信，盡管前期成本較高且處理速度較慢，但在缺陷減少、良率提升和調節制程控制方面的長期效益，可以使單晶圓處理成為2奈米及更先進芯片生產的有力策略。

為了支持早期客戶，Rapidus 正在準備于2026年第一季發表其制程開發套件（PDK）的第一個版本，同時也致力于為客戶在IIM-1 廠區進行芯片設計原型制作提供所需基礎設施。