7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱，三星計(jì)劃明年三月啟動(dòng)其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。
據(jù)悉該產(chǎn)線的建設(shè)計(jì)劃為 2026 年 3 月開(kāi)始設(shè)備安裝，上半年建成產(chǎn)線，此后進(jìn)行試生產(chǎn)，在穩(wěn)定后轉(zhuǎn)入正式量產(chǎn)。這一時(shí)間表晚于此前部分人士的預(yù)期。
三星電子目前最先進(jìn)的 NAND 工藝為 286 層的 V9，而下代 V10 的堆疊層數(shù)將暴漲到 400 層以上（IT之家注：據(jù)悉為 430 層左右），屆時(shí)有望成為最高堆疊閃存，其還引入了超低溫蝕刻、混合鍵合等先進(jìn)技術(shù)。
根據(jù)三星電子為今年 2 月的 ISSCC 2025 會(huì)議準(zhǔn)備的演講，其 V10 NAND 的 TLC 版本可實(shí)現(xiàn) 28Gb/mm2 的存儲(chǔ)密度、5.6Gbps 的 I/O 引腳速率。
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