6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本月 12 日?qǐng)?bào)道稱，在 HBM 市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級(jí)）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

SK 海力士現(xiàn)在的主力 HBM 產(chǎn)品 HBM3E 和即將量產(chǎn)的 HBM4 均基于 1b 工藝的 DRAM，未來的 HBM4E 才會(huì)導(dǎo)入 1c 制程。

SK 海力士憑過往產(chǎn)品表現(xiàn)在 HBM 市場(chǎng)建立起良好聲譽(yù)，以英偉達(dá)為代表的 AI 芯片企業(yè)對(duì)其 HBM 內(nèi)存有著龐大需求；另一方面，HBM 的盈利能力也明顯優(yōu)于傳統(tǒng) DRAM。這是 SK 海力士專注于擴(kuò)大 1b DRAM 產(chǎn)能的兩大原因。

SK 海力士在三大內(nèi)存原廠中率先完成 1c nm 的 DDR5 開發(fā)，實(shí)現(xiàn)了 11% 的速度改進(jìn)和 9% 的能效改進(jìn)，不過該企業(yè)在 1c nm LPDDR5x 的進(jìn)度上被美光反超。