6月12日消息，據半導體研究機構SemiAnalysis的最新研究顯示，雖然在《芯片與科學法案》（CHIPS and Science Act）的資助下，許多廠商在美國的晶圓廠開始建設或即將進入量產階段，但部分建廠因為環境審查與當地居民抗議而尚未動工，陷入“鄰避情結”（NIMBY）或許可流程長達兩年的狀況。目前受影響的項目包括Amkor（安靠）在亞利桑那州的先進封裝廠、美光在紐約的DRAM晶圓廠，以及SK 海力士在印第安納州HBM 工廠。
Amkor斥資20億美元建封裝廠計劃受阻
Amkor 計劃斥資20億美元，在亞利桑那州皮奧里亞市（Peoria）附近興建芯片封裝廠，但面臨當地居民的強烈反對。居民擔心此案會對水資源造成壓力，并加劇交通壅塞情況，部分居民甚至揚言控告，并要求該項目遷址。
Amkor 先進封裝設施建成后將擁有超過50萬平方英尺（約46,451平方公尺）的無塵室空間，供應對象包括臺積電Fab 21 廠區與十多家供應商。由于蘋果已承諾在臺積電Fab 21 生產芯片、并于Amkor 廠進行封裝，因此建廠計劃能否實施，也將影響蘋果芯片的供應。
美光耗資千億美元的園區延誤，每天損失500萬美元
美光宣布在紐約州中部的克萊（Clay）投資為期長達20年的1,000億美元計劃，建造超大型DRAM 生產基地，這將是美國史上最大內存廠的投資案。但是如今該項目卻因環評程序遭到延誤，大眾意見征詢期間延長至8月，加上社區反對聲浪尚未解決，原預定2024年動工被迫延后。
該廠計劃將建置四間無塵室，總面積達60萬平方英尺（約55,700平方公尺），大約是格羅方德Fab 8 廠無塵室空間的八倍，而初期建設將先耗資200億美元。
然而，因嚴重延后，美光現在必須另尋管道，彌補DRAM 產能缺口。有報導稱，這座200億美元的晶圓廠延后，使得美光每日損失約500萬美元。
美光原計劃在2030年代中期前，在美國生產40%DRAM 產能，并同時運作愛達荷州博伊西（Boise）廠與紐約克萊廠，但因為目前建造工程延宕，能否如期實現目標仍是未知數。
SK 海力士雖獲批準，但過程艱辛
SK 海力士斥資38.7億美元，在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）興建首座HBM 先進封裝廠，預期2028年下半年開始營運。雖成功獲批，但SK 海力士先前面臨當地居民反對，理由是工業設施靠近住宅區可能對生活質量造成影響，使得該案近乎卡關，最終是在與市議會長達七小時的會議后才得以通過。
SK 海力士的HBM 先進封裝廠預期可創造多達1,000個工作機會，該公司也計劃與普渡大學（Purdue University）合作，開展未來的研發項目。
根據SemiAnalysis 報導，為防止未來開發案再度出現類似狀況，美國部分州政府正著手建立“預先核準”的工業用地，如北卡羅來納州、賓夕法尼亞州與俄亥俄州，已投入資金開發大型場址，這些用地都配備水電等基礎設施，并完成初步環評審核，可直接用于制造設施，無須耗時的許可程序，因此更吸引半導體企業進駐。
支持該策略的人指出，這類策略在前期即完成基礎準備，有助降低開發成本、簡化法規流程、加速供應商投入承諾。由于基礎設施已經先行規劃，州政府也能設置罰則，若企業未履行投資承諾，即可追究責任，提高執行力。另據“安全與新興技術中心”（Center for Security and Emerging Technology）分析，設施獲得許可的速度如今已決定半導體產能擴張進度、及各國對大型芯片企業吸引力的關鍵因素。
