10月16日，市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce在“AI 時代半導體全局展開──2025 科技產(chǎn)業(yè)大預測”研討會上指出，隨著全球前三大HBM廠商持續(xù)擴大產(chǎn)能，預計2025年全球HBM產(chǎn)能將同比大漲117%。
TrendForce 分析師王豫琪表示，從HBM產(chǎn)品類型來看，由于英偉達（NVIDIA）自Blackwell GPU開始，新產(chǎn)品會逐步轉(zhuǎn)往12 層HBM3e，明年HBM3e 將取代HBM3 成主流產(chǎn)品，占整體HBM市場需求的89%。由于HBM3e 平均售價（ASP）大約是傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的3-5倍，隨著HBM3e產(chǎn)能的持續(xù)擴張，營收貢獻將逐季增長。至于中國大陸的HBM營收主要來自于HBM2e 帶來的貢獻。
目前SK海力士、美光、三星這三大存儲芯片廠商的12 層HBM3e 都在向英特爾送樣驗證階段，預期后續(xù)驗證完成、良率提升后，出貨量將大幅提升。
對于NAND Flash市場，TrendForce 研究經(jīng)理敖國鋒表示，NAND Flash 供應(yīng)商經(jīng)歷2023 年巨額虧損后，資本支出轉(zhuǎn)趨保守。同時，DRAM 和HBM 等存儲產(chǎn)品需求受惠AI 浪潮，將排擠2025年NAND Flash 設(shè)備投資，使過去嚴重供過于求的市況將有所緩解。不過，AI 應(yīng)用對高速、大容量儲存的需求日益增加，也將推動Enterprise SSD (eSSD) 市場的蓬勃發(fā)展。
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