11月3日，在韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，韓國存儲芯片大廠SK 海力士（SK hynix）CEO Kwak Noh-Jung 正式公布了公司“全線AI存儲創造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，以期在迎接下一個AI時代之前，SK 海力士能深化其存儲領導者的地位。
Kwak Noh-Jung 指出，盡管AI 的采用正在加速，導致信息流量爆炸性增長，但支持這些增長的硬件技術，尤其是存儲性能，未能與處理器的進步保持同步，形成了所謂的“存儲墻高墻”（Memory Wall）的障礙。為了解決這一難題，存儲芯片不再只是一個普通元件，而是正在演變成AI 產業中的核心價值產品。
對此，SK 海力士迄今為止一直扮演著“全棧存儲供應商”（Full Stack Memory Provider）的角色，專注于及時提供符合客戶需求的產品。然而，隨著存儲重要性的增加，SK海力士公司認為單純的“供應商”角色已不足以滿足市場需求。因此，新的目標是成為“全線AI存儲創造者”，代表著SK 海力士將做為共同架構師、合作伙伴和生態貢獻者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 計算領域超越客戶的期望，通過在生態系統中積極合作，共同解決客戶面臨的挑戰。
為了實現新的愿景，Kwak Noh-Jung 也揭示了SK 海力士最新的產品陣容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。這樣的布局將取代傳統存儲解決方案多半以計算為中心的情況，改為朝向多元化和擴展存儲功能的方向發展，目標是達成更高效的計算資源使用，并從結構上解決AI 推理瓶頸。
在客制化HBM (Custom HBM)，SK 海力士強調，AI 市場正在從商品化擴展到推論效率和優化。因此，HBM 也從傳統產品演變為客制化產品。客制化HBM 是將GPU 和ASIC 的特定功能整合到HBM 基座上的產品，以反映客戶需求。這項技術能夠最大化GPU 和ASIC 的性能，同時透過HBM 減少數據傳輸功耗，進而顯著提高系統效率。
因應市場需求，SK 海力士也針對AI DRAM (AI-D)進一步的細分，準備提供最適合每個領域需求的內存解決方案。
1. AI-D O（Optimization）的優化：這是一種低功耗、高性能的DRAM，目的在降低總體擁有成本（TCO）并提高營運效率。該解決方案包括MRDIMM（Multiplexed Rank DIMM，多路復用雙列直插式內存模塊）、SOCAMM（小型外形壓縮附著內存模塊，用于AI 服務器的低功耗DRAM 內存模塊）以及LPDDR5R（用于移動產品，具備可靠性、可用性、可服務性（RAS）特性的低電壓DRAM）。
2. AI-D B（Breakthrough）的突破，這封面克服「內存墻」的解決方案產品。其特點是超高容量內存和靈活的內存分配。該類別包含CMM（Compute eXpress Link Memory Module，一種高效連接CPU、GPU、內存和其他元件的下一代界面）和PIM（Processing-In-Memory，一種將計算能力整合到內存中的下一代技術，用于解決AI 和大數據處理中的數據移動瓶頸）。
3. AI-D E（Expansion）的擴展：目的為擴展DRAM 的使用案例，不僅限于數據中心，還擴展至機器人、移動性（mobility）和工業自動化等領域。該解決方案包含HBM。
除了DRAM 之外，在AI NAND (AI-N) 方面SK 海力士也正在準備三種下一代儲存解決方案：
1. AI-N P（Performance）提高性能，強調超高性能。該解決方案目的在有效處理大規模AI 推理工作執行產生的大量數據。通過將儲存與AI 操作之間的瓶頸降至最低，顯著提高了處理速度和能源效率。SK 海力士計劃設計具有新結構的NAND 和控制器，并目標在2026年底前發布樣品。
2. AI-N B（Bandwidth）加大帶寬。通過垂直堆疊半導體芯粒來擴大帶寬，做為彌補HBM 容量增長限制的解決方案。其關鍵在于將HBM 的堆疊結構與高密度且具成本效益的NAND Flash閃存結合。
3. AI-N D（Density）發展密度：借由達成超高容量來增強成本競爭力。這是一種高密度解決方案，適用于以低功耗和低成本儲存大量AI數據。SK 海力士的目標是將存儲密度從目前基于QLC 的固態硬盤（SSD）的太字節（TB）級別提高到拍字節（PB）級別，并實現一種結合SSD 速度和HDD 成本效益的中階儲存解決方案。
Kwak Noh-Jung 強調，在AI 時代，預計那些通過與客戶和合作伙伴合作，創造更強大協同效應和卓越產品的公司將會取得成功。而做為與全球領導者合作的一部分，SK 海力士不僅與英偉達（NVIDIA）在HBM 方面進行合作，還利用NVIDIA Omniverse 通過“晶圓廠數字孿生”（fab digital twins）技術來提升晶圓廠生產力。SK海力士還與OpenAI 進行長期合作，供應高性能內存。此外，SK 海力士正與臺積電（TSMC）就下一代HBM所需的邏輯制程基底芯粒（base dies）進行密切合作。
此外，在儲存技術方面，SK海力士還與Sandisk 合作，共同制定HBF（高帶寬閃存）的全球標準。同時，SK 海力士也與NAVER Cloud 合作，優化下一代AI內存和儲存產品，使其適用于真實的數據中心環境。展望未來，SK 海力士將繼續優先考慮客戶滿意度，與合作伙伴共同克服限制，開創未來。
