據韓媒 ETNews 報道，三星電子和 SK 海力士都在推進移動 DRAM 堆疊封裝技術的應用，該技術可提高移動設備的內存帶寬。

端側 AI 是目前智能手機、筆記本等產品市場的熱門話題，而實現端側運行模型需要更強大的移動 DRAM 性能。堆疊芯片作為一種在 HBM 內存上行之有效的策略被納入考慮。

然而，以 LPDDR 為代表的移動 DRAM 芯片較小，不適合與 HBM 相同的 TSV（硅通孔）連接方案；同時 HBM 制造工藝的高成本低良率特性也不能滿足高產能移動 DRAM 的需求。

因此三星電子、SK 海力士采用了另一種先進封裝方式來實現移動 DRAM 芯片堆疊，也就是垂直布線扇出技術 VFO，該技術可提供更多的 IO 數據引腳。

SK 海力士方面表示 VFO 技術將 FOWLP 和 DRAM 堆疊兩項技術結合，通過垂直連接大幅縮短了電信號在多層 DRAM 間的傳輸路徑，同時能效也有提升。

SK 海力士給出的數據顯示，其去年中的 VFO 技術驗證樣品在導線長度上僅有傳統布線產品的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%。

根據 ETNews 的說法，三星方面采用類似技術的產品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可實現低延遲和 128GB/s的高帶寬性能，同時能耗也僅有 1.2 pJ / b。

采用 VFO 技術的產品有望成為繼 HBM 后的下一個 AI 內存熱點。報道稱三星計劃于明年下半年實現 LLW DRAM 的量產；而 SK 海力士相關產品目前已在量產準備階段。