據(jù)科技媒體ZDNET Korea報(bào)道，業(yè)界消息稱，國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織（JEDEC）的主要參與者最近同意將HBM4產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)定為775微米（μm），比上一代的720微米更厚。據(jù)悉，該協(xié)議預(yù)計(jì)將對三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存制造商的未來封裝投資趨勢產(chǎn)生重大影響。如果封裝厚度為775微米，使用現(xiàn)有的鍵合技術(shù)就可以充分實(shí)現(xiàn)16層DRAM堆疊HBM4。考慮到混合鍵合的投資成本巨大，存儲(chǔ)器公司很可能將重點(diǎn)放在升級(jí)現(xiàn)有鍵合技術(shù)上。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。