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無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世:功耗低至1毫安

2022-12-30
來源:SoC
關(guān)鍵詞: 3nm SOC 半導(dǎo)體

臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當前最先進的半導(dǎo)體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202212/442187.htm

存內(nèi)計算是一種新型架構(gòu)的芯片,相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同, 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。

知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計算核,相對于NPU、DSP和MCU計算平臺,其AI算力提高了10-200倍。

據(jù)該公司創(chuàng)始人、CEO王紹迪介紹,這款芯片是知存科技首次嘗試在低功耗場景下量產(chǎn)的存內(nèi)計算芯片,一般運行功耗在1毫安至5毫安之間。



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