12月7日，日本佳能宣布將于2023年1月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導(dǎo)體光刻機(jī)新產(chǎn)品——i線步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-5520iV LF2 Option”。

據(jù)了解，在半導(dǎo)體芯片的制造工藝中，光刻機(jī)負(fù)責(zé)“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導(dǎo)體芯片的工藝稱為前道工藝。

保護(hù)精密的半導(dǎo)體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時(shí)實(shí)現(xiàn)與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。

佳能介紹，新款i線步進(jìn)式光刻機(jī)通過0.8μm的高解像力和拼接曝光技術(shù)，使100 x 100mm的超大視場(chǎng)曝光成為可能，從而實(shí)現(xiàn)2.5D和3D技術(shù)相結(jié)合的超大型高密度布線封裝的量產(chǎn)。

和去年4月發(fā)售的前一代產(chǎn)品“FPA-5520iV LF Option”相比，新品能夠?qū)⑾癫钜种浦了姆种灰韵拢晥?chǎng)尺寸也較52x68mm大幅增加。

所謂i線也就是光源來自波長(zhǎng)365nm的水銀燈，和EUV光刻機(jī)使用的13.5nm波長(zhǎng)激光等離子體光源區(qū)別明顯。

按照佳能的說法，除芯片精細(xì)化以外，封裝的高密度布線也被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高性能的技術(shù)之一。可以預(yù)見，隨著對(duì)更高性能半導(dǎo)體器件的先進(jìn)封裝需求的增加，后道工藝中的半導(dǎo)體光刻機(jī)市場(chǎng)將繼續(xù)擴(kuò)大。

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