11月25日消息，有投資者向南大光電提問稱，公司 ARF 光刻膠驗證的怎么樣啦，什么時候會實現量產？對此，南大光電回應，公司 ArF 光刻膠產品分別通過一家存儲芯片制造企業和一家邏輯芯片制造企業的驗證，目前多款產品正在多家客戶同時進行認證，后續驗證進展情況請關注公司相關信息披露。
南大光電表示，目前公司有多款ArF光刻產品在國內大型芯片制造企業進行測試。光刻膠是客制化產品，技術含量高，驗證周期長，且體量不大。因為是替代進口，所以我們研發的產品需要適應客戶端的工藝參數，留給我們的調整空間很小，所以驗證難度大。目前驗證進展順利，預計今年年底會有幾款產品通過驗證。公司也將抓緊推進市場拓展工作，爭取盡快實現批量銷售。
據了解，早在2016年，南大光電參股了北京科華微電子材料有限公司，便開始了研發“193nm光刻膠項目”，并且該公司是唯一一家通過了EUV光刻膠“02專項”研發的企業。彼時，南大光電便宣稱，計劃用3年的時間實現ArF光刻膠產品的建設、投產和銷售，最終達到年產25噸193nm ArF光刻膠產品的生產規模。
國產光刻膠任重而道遠
資料顯示，南大光電此次通過客戶認證的ArF光刻膠材料是集成電路制造領域的重要關鍵材料，可以用于90nm～14nm甚至7nm技術節點的集成電路制造工藝。廣泛應用于高端芯片制造，包括邏輯芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存儲器和云計算芯片等。
眾所周知，自去年以來，全球芯片供應緊缺持續，各大晶圓廠積極擴張產能，上游半導體耗材光刻膠等材料需求巨大，如今南大光電ArF光刻膠再次通過企業認證，量產化有望，將很大程度緩解光刻膠產能緊缺的窘境。
光刻膠是半導體芯片制造行業的重要關鍵原材料，在半導體集成電路材料中技術難度最大，質量要求最高，主要應用于芯片制造的光刻工藝，而光刻工藝又是半導體芯片最為核心的工藝，占整個芯片制造成本的35％，光刻膠通過利用光化學反應原理，經曝光、顯影等光刻工序，將所需要的圖像留存，并轉移到待加工的晶圓片上，從而完成光刻。
在半導體領域，光刻膠產品主要分為紫外光刻膠g線（436nm）和i線（365nm），深紫外光刻膠KrF（248nm）、ArF（193nm），以及目前最先進的，可以應用于EUV技術的極紫外光刻膠（13．5nm）。
一直以來，國內的光刻膠市場被日美等外資企業長期壟斷，國內光刻膠企業僅有少量的低端g線、i線以及KrF線光刻膠可實現量產，自給率不到20％，目前國內更為高端的ArF光刻膠產品仍未實現量產。
根據公開資料顯示，目前整個光刻膠產品的市場里，日美企業占據了87％的市場份額，其中日企JSR株式會社在全球先進的ArF、EUV市場具有較為領先的地位，是全球光刻膠龍頭廠商，占有28％的市場份額，其他主要廠商包括日本的東京應化、富士電子、信越化學、美國的陶氏杜邦等，具體占比如下圖所示：
（數據源于TC VIEW，OFweek維科網·電子工程制圖）
在高端光刻膠產品領域，日本廠商在ArF、KrF光刻膠市場的市占率分別為93％、80％，幾乎完全壟斷了整個高端市場，并且日企JSR及東京應化已經可以供應10nm以下半導體芯片制造行業的EUV極紫外光刻膠。
如今，全球的光刻膠市場仍在穩定增長中，知名咨詢服務公司TECHCET曾預測，2021年半導體制造所需的光刻膠市場規模將同比增長11％，達到19億美元。在2020年和2021年的光刻膠市場中，KrF和浸入式ArF的市場份額占比較高。對于EUV光刻膠市場，應用范圍正在從邏輯芯片擴展到DRAM。2021年的EUV光刻膠市場將超過2000萬美元，并且此后還將繼續增長，預計到2025年將超過2億美元。
國內對于光刻膠領域也尤為重視。在2020年9月，國家發改委等四部門聯合印發《關于擴大戰略性新興產業投資 壯大新增長點增長極的指導意見》提出，加快在光刻膠、高純靶材、高溫合金、高性能纖維材料、高強高導耐熱材料、耐腐蝕材料、大尺寸硅片、電子封裝材料等領域實現突破，以保障大飛機、微電子制造、深海采礦等重點領域產業鏈供應鏈穩定。
同時，在去年年初，央視新聞更是發表了“光刻膠靠搶！進口芯片漲價20％”的報道；報道指出，在我國半導體工業中，下游設計已經能夠進入全球第一梯隊，中游晶圓制造也在迎頭趕上，而上游設備及材料領域與海外龍頭仍存在較大差距。中國本土光刻膠整體技術水平與國際先進水平存在較大差距，自給率僅約10％，且主要集中在技術含量較低的PCB光刻膠領域。
以往企業采購光刻膠的量每次都在100多公斤，近期由于原材料緊缺，企業每次只能買到很少的量（10－20公斤）。一旦全球芯片短缺引發上游芯片材料供應緊張，光刻膠難以進口，國內半導體行業將會出現“無膠可用”的情況。
截止目前，國內的多個光刻膠企業中，只有彤程新材旗下的子公司北京科華能實現量產KrF光刻膠，且是唯一被SEMI列入全球光刻膠八強的中國光刻膠公司。
此外，南大光電是研發出全國第一只通過產品認證的國產ArF光刻膠的半導體上市企業。
在今年半年報中，南大光電披露，193nm光刻膠作為當前高端芯片制造中最為核心的原材料，被譽為半導體工業的“血液”，可以用于90nm～14nm技術節點的集成電路制造工藝。
截至今年6月底，公司安裝完成一條193nm光刻膠生產線，用于產品檢測的光刻機也已完成安裝，產線和光刻機均處于調試階段。
上述項目投資6．56億元，根據規劃，南大光電將達到年產25噸193nm（ArF干式和浸沒式）光刻膠產品的生產規模，以滿足集成電路行業的需求。
市場認為，ArF光刻膠的市場前景好于預期。隨著國內IC行業的快速發展，自主創新和國產化步伐的加快，以及先進制程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。
南大光電表示，目前與客戶的產品銷售與服務協議尚在協商之中。同時，ArF光刻膠的復雜性決定了其在穩定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險，其在應用工藝的改進、完善等方面的表現，都會決定ArF光刻膠的量產規模和經濟效益。
可以看出，在半導體原材料領域，國產替代化進程正有序進行中，未來實現半導體領域全面自主可控，指日可待。
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