據業內消息，近日三星在一年一度的技術日研討會上公布了未來的3大規劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內的各類內存和無晶圓廠的整體解決方案。

從5年前開始，三星都堅持每年舉辦的技術日研討會，會上三星會討論些發布的新技術、半導體行業的趨勢和現狀以及未來的階段性規劃內容。在本屆的會上，在三星為其即將推出的 1.4納米制程工藝、內存路線圖以及擴大其行業影響力的目標制定了計劃。

一直以來三星都和和臺積電一樣是行業內代工工藝的最前沿，三星代工業務總裁兼負責人Siyoung·Choi博士談到了三星芯片生產的未來規劃，以及全球短缺對其代工廠業務的影響。其表示，三星目前需要提高整體產能并引領最先進的技術，同時進一步擴大硅片規模并通過應用繼續進行技術創新。

在今年的早些時候，三星就開始開始為客戶生產首批基于3nm的芯片，由于采用了3nm全環柵(GAA)技術，這些新芯片的性能提高大約30%，而且功耗會大幅減少，而該芯片比5nm芯片占用的空間最大減少35%。

目前三星一斤剛開始規劃在2025年開始量產采用2納米工藝的芯片，而在當前這個時間點，消費市場的大多數高級別的產品還在由基于5nm工藝構建的SoC提供支持。而且按照三星的規劃，預計在2027年左右達到1.4納米工藝節點，并計劃在同年將其先進節點產量提高兩倍。

除此之外三星還推出了其第8代和第9代的V-NAND產品以及第5代DRAM產品。三星目前為V-NAND提供512 Gb TLC產品，而按照之前的規劃，今年的后半年會發布1 TB的TLC 版本。

目前三星的第5代DRAM產品10nm (1b)器件按照計劃將會在后面進入量產階段，至于未來的其他DRAM解決方案，包括32 Gb DDR5解決方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM以及36 Gbps GDDR7 DRAM都在按照規劃進行中。

三星表示需要大約8年的時間就能實現1000層的V-NAND，而目前就此計劃正在進行架構過渡，也就睡從其當前的TLC架構過渡到QLC架構，因為后者可以增加密度并實現更多的層數。

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