6月17日早間消息，臺(tái)積電在今日舉辦的2022技術(shù)論壇上，首度推出下一代先進(jìn)制程N(yùn)2，也就是2nm。
技術(shù)指標(biāo)方面，臺(tái)積電披露，N2相較于N3，在相同功耗下，速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%，開(kāi)啟高效能新紀(jì)元。
就縱向?qū)Ρ葋?lái)看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心參數(shù)。
在微觀結(jié)構(gòu)上，N2采用納米片電晶體(Nanosheet)，取代FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，外界普遍認(rèn)為，納米片電晶體就是臺(tái)積電版的GAAFET(環(huán)繞柵極晶體管)。
臺(tái)積電還表示，N2不僅有面向移動(dòng)處理器的標(biāo)準(zhǔn)工藝，還會(huì)有針對(duì)高性能運(yùn)算和小芯片(Chiplet)的整合方案。
時(shí)間節(jié)奏方面，N2將于2025年量產(chǎn)。
另外，根據(jù)臺(tái)積電最新技術(shù)路線圖，第一代3nm(N3)定于下半年量產(chǎn)，3nm也會(huì)比較長(zhǎng)壽，后續(xù)還有N3E、N3P和N3X。
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