2021 年 11 月 17 日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿足日漸增長的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。

“Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓，”Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer介紹，“如果向柵極-源極路徑或漏極-柵極路徑施加極限電壓，或從更多種類的合適的MOSFET中進(jìn)行選擇，用具有焊盤兼容性的A-selection齊納二極管代替B-或C-selection，工程師可以將MOSFET的性能發(fā)揮到極致。”

A-selection齊納二極管的正常工作電壓范圍為1.8V至75V（E24范圍）。這些器件的非重復(fù)反向峰值功耗≤40W，總功耗≤250mW，差分熱阻低。低容差可提供更高精度的電壓，對(duì)應(yīng)用的測試與測量尤其關(guān)鍵，可幫助工程師取代成本更高的電壓基準(zhǔn)器件。相比直接保護(hù)MOSFET，另一種替代方案更為經(jīng)濟(jì)，即將漏極-柵極路徑與齊納二極管并聯(lián)。齊納二極管被擊穿后，MOSFET隨即導(dǎo)通，防止漏極-源極發(fā)生雪崩擊穿。

A-selection齊納二極管還可用于Q產(chǎn)品組合器件，符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)的重點(diǎn)是滿足汽車原始設(shè)備制造商的壓力測試資格，以及質(zhì)量管理體系的要求。與此同時(shí)，客戶的需求不斷發(fā)展，越來越多的非汽車應(yīng)用需要額外的質(zhì)量相關(guān)服務(wù)，例如生產(chǎn)零件批準(zhǔn)過程(PPAP)和更長的供貨計(jì)劃。此類標(biāo)準(zhǔn)器件和Q產(chǎn)品組合器件的另一個(gè)不同之處是產(chǎn)品變更通知(PCN)的期限，根據(jù)JEDEC的要求，期限從90天延長至180天。此外，所有部件的供貨計(jì)劃至少為10年，保質(zhì)期超過兩年。

Nexperia繼續(xù)在技術(shù)和內(nèi)部產(chǎn)能方面加大投入。A-selection齊納二極管現(xiàn)可提供樣品，并已投入大批量生產(chǎn)。關(guān)于A-selection齊納二極管的更多信息，包括產(chǎn)品規(guī)范和數(shù)據(jù)手冊，請?jiān)L問：www.nexperia.com/a-selection-zener

關(guān)于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計(jì)。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認(rèn)證。

Nexperia：效率致勝。