在宣布跳過(guò)96層，直接進(jìn)入128層3DNAND之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的進(jìn)展就備受關(guān)注。近日，我們也終于看到了他們的好消息。

　　據(jù)B站用戶“存儲(chǔ)極客”介紹，嘉合勁威旗下的國(guó)產(chǎn)高端固態(tài)硬盤品牌阿斯加特推出了其其第四代NVMe固態(tài)硬盤AN4。在這個(gè)Asgard AN4 1T NVMe產(chǎn)品中，使用了InnoGrit英韌IG5236主控，同時(shí)，還搭配了長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 架構(gòu)3D TLC閃存。

據(jù)存儲(chǔ)極客介紹，他拆解了阿斯加特的AN4，雙面PCB布局、共有四顆編號(hào)為YMN09TC1B1HC6C的閃存顆粒，這正是采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)最新一代128層堆疊技術(shù)。

　　延伸閱讀：長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出128層閃存

　　今年四月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

　　得益于Xtacking 架構(gòu)對(duì)3D NAND控制電路和存儲(chǔ)單元的優(yōu)化，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC產(chǎn)品在存儲(chǔ)密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評(píng)。

　　在長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品中，Xtacking已全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲(chǔ)單元分別采用獨(dú)立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時(shí)在芯片面積沒(méi)有增加的前提下Xtacking2.0還為3D NAND帶來(lái)更佳的擴(kuò)展性。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb高容量，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實(shí)可行的路徑。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過(guò)3,665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元 ，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。