K海力士宣布，開始啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片。

具體來看，已經(jīng)于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10nm（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移動(dòng)端DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）產(chǎn)品。

此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。SK海力士預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)采用1a nm級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端 DRAM。

在此之前，SK海力士曾在生產(chǎn)1y nm級(jí)產(chǎn)品中部分采用了EUV技術(shù)，完成了對(duì)其穩(wěn)定性的驗(yàn)證。這對(duì)采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品具有非凡的意義。

相比于前一代1z nm級(jí)工藝，1a nm級(jí)DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25％，帶來了生產(chǎn)效率的提升和更高的成本競(jìng)爭(zhēng)力。1a nm級(jí)DRAM穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動(dòng)端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20％。SK海力士認(rèn)為此次新產(chǎn)品進(jìn)一步強(qiáng)化了低功耗的優(yōu)勢(shì)，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會(huì)、公司治理）經(jīng)營(yíng)的精神理念。

啟用EUV技術(shù)光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片的還包括三星和美光，不過美光時(shí)間上要更晚一些，預(yù)計(jì)在2024年生產(chǎn)新的EUV內(nèi)存芯片。