臺(tái)積電今天線(xiàn)上舉辦2021年度技術(shù)研討會(huì),公布了未來(lái)新工藝進(jìn)展,6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息傳來(lái)。

2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的制高點(diǎn),IBM甚至已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)搞定,率先公布了2nm芯片,而除了臺(tái)積電、三星兩大代工巨頭,歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃。

不同于之前世代在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷演進(jìn),臺(tái)積電的2nm工藝將是真正全新設(shè)計(jì)的,號(hào)稱(chēng)史上最大的飛躍,最大特點(diǎn)就是會(huì)首次引入納米片(nanosheet)晶體管,取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。

臺(tái)積電表示,納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導(dǎo)體領(lǐng)域,Vt是電路運(yùn)行所需的最低電壓,它的任何輕微波動(dòng),都會(huì)顯著影響芯片的設(shè)計(jì)、性能,自然是越小越好。

臺(tái)積電宣稱(chēng),根據(jù)試驗(yàn),納米片晶體管可將Vt波動(dòng)降低至少15%。

目前,臺(tái)積電的2nm工藝剛剛進(jìn)入正式研發(fā)階段,此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。