導(dǎo)讀：3月25日，三星電子宣布開發(fā)出512 GB DDR5內(nèi)存模塊，并將與英特爾合作開發(fā)相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品。

　　圖：三星512 GB DDR5內(nèi)存模塊

　　BusinessKorea報道稱，三星電子正在擴大與英特爾的合作，以領(lǐng)導(dǎo)下一代DRAM芯片領(lǐng)域。而英特爾最近決定在晶圓代工領(lǐng)域進行大規(guī)模投資，所以兩家公司正在同時合作和競爭。

　　三星發(fā)布的第五代DDR產(chǎn)品可以提供的最大數(shù)據(jù)傳輸速率為7,200 Mbps，是DDR4速率的兩倍以上。此外，該產(chǎn)品還具有八層16 Gb硅通孔，可堆疊以實現(xiàn)容量最大化，而四層主要用于DDR4。

　　此外，高k金屬柵極工藝已首次應(yīng)用。該技術(shù)是基于快速而牢固的電流輸出口閉合功能來最大程度地降低功耗，以減少泄漏電流。根據(jù)三星電子的數(shù)據(jù)，該產(chǎn)品在功耗方面的效率提高了約13％。

　　DDR5可能會在提高其性能的同時成為市場的主流。據(jù)市場研究公司Omdia稱，從今年到2024年，DDR5的出貨量預(yù)計將從DRAM市場的0.6％增長到53.2％。

　　增長需要與設(shè)計和制造CPU的英特爾合作。預(yù)計該公司將在今年下半年發(fā)布與DDR5兼容的產(chǎn)品。三星電子正計劃逐步將大容量DDR5產(chǎn)品商業(yè)化。

　　英特爾解釋說：“隨著需要處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，下一代DDR5內(nèi)存芯片在云數(shù)據(jù)中心，網(wǎng)絡(luò)和邊緣計算等方面變得越來越重要……三星電子將開發(fā)與我們服務(wù)器CPU兼容的的DDR5存儲芯片。”