三星：誓要追趕 但現實骨感
三星自從進入10nm時代以后，其與臺積電的競爭一直處于下風，若能拿到英特爾的大單，無疑是一種振奮，可進一步增強其今后與臺積電競爭的底氣和決心。
總體來看，臺積電在良率和穩定性方面有明顯優勢。為了提升競爭力，三星調整了晶圓代工的業務結構，而臺積電在不斷鞏固自身的優勢。
預估今年第3季全球晶圓代工市場，臺積電仍將以過半、53．9％市占率稱王，且年成長率高達21％。
而三星則以17．4％位居第二，年成長率為4％，雖然比第一季的18．8％略有下滑，但主要出自于Galaxy S20銷售狀況不佳所致，若下半年智能型手機市場能扳回一城，市占率表現上依舊有機會緊咬臺積電不放。
盡管三星在短期內難以實現這樣的目標，但是有望從臺積電手中奪得部分市占率。
而夢回現實，三星先進制程發展落后給臺積電，有另一個原因是因為三星集團還有記憶體部門需要發展，因此分散了研發能量。
三星因為并非如臺積電專精于晶圓代工，因此在產能的分配上，以及滿足各種客戶不同IC設計規格的需求，三星就沒有臺積電這樣快速調整的本事。
三星作為一個IDM半導體業者，同時又身兼晶圓代工，若是有手機芯片IC設計業者要來下單，難免會擔心企業的商業機密被竊取，而這一點一直是三星的致命傷。
臺積電：“糧草”在手 說走就走
三星晶圓代工目標雖遠大，但現實卻是業界頻傳良率低落、工藝延遲與未有大單落袋。
事實上，臺積電力奪7納米／7納米EUV首勝，已于第2季量產5納米，至年底由蘋果包下大宗產能，2021年再推出5納米加強版，而隸屬于5納米家族的4納米，預計2021年第4季試產，2022年下半年量產。
臺積電的5nm工藝在今年一季度就已大規模投產，三季度貢獻了約10億美元的營收，預計四季度將超過26億美元。
在更先進的3nm工藝方面，臺積電目前也在按計劃推進，計劃在2021年風險試產，2022年大規模投產。
臺積電2納米工藝取得重大突破，并有望2023年下半年風險試產，良率可以達到90％，2024年大規模投產。
此外，臺積電還宣布2021年正式量產3 nm工藝，這些都給了競爭對手極大壓力。
在近日臺積電揭露的2020年第3季業績與第4季、全年展望中表現令市場驚艷，預計新制程開始導入后，至少6—8季的毛利率會低于其他制程平均值。
近期蘋果iPhone12的持續數月的瘋狂刷屏順帶也為臺積電5nm制程站了臺，這想必也給三星造成了極大壓力。
臺積電2nm基地將落至新竹寶山，其將投入將近6000億新臺幣，建設研發、生產基地。而在近來，臺媒又傳來臺積電2nm新消息。
而臺積電與蘋果的合作有望持續至2nm階段，同時輝達等的先進制程大單，也都有望被臺積電收入囊中。
遙遙領先的臺積電仍存忌憚
臺積電也有所顧慮，并不是因為目前的制程進度上有閃失，而是三星在后面的緊追不舍。
近些年，三星一直在積極投資以擴大晶圓代工業務，并表示要在 2030 年前超越臺積電成為代工業的領頭羊。
3納米架構率先由三星喊出將從目前采用的FinFET（鰭式晶體管）改變成GAA（閘極全環）。此舉是為了搶救現在三星在7納米、5納米良率偏低的原因。
但近期三星宣布，將生產最先進的DRAM產品，同時提供新世代V－NAND與晶圓代工解決方案，目的就是為了鞏固三星在工業4．0時代技術領先的地位。
臺積電一直以來在價格上比較強悍，而三星過往都有可能以低于臺積電20－35％的價格來搶單。
EUV光刻設備成為制造關鍵
后續臺積電每年會引進約20－30臺EUV設備，預計在2025年末會擁有約185臺EUV設備；三星電子的目標是在2025年末擁有約100臺EUV設備，從ASML的生產產能來看，相當困難。
如上所述，三星電子無法熟練操作使用EUV設備、且照此發展下去，很難確保其引進的設備數量。
如果三星電子維持現狀，那么與臺積電的差距將會越來越大。為了打破這一危機情況，三星電子的真正Top——李副會長與ASML的CEO＆CTO進行了直接會談。
據《電子時報》日前報道，預估臺積電明年EUV機臺將超過50臺，幾乎全球一半EUV光刻機臺都在臺積電手里，但臺積電不予置評，因為涉及商業機密。
至于李在镕積極與ASML拉貨，目前臺積電仍以超過50％市占率穩居第一，三星以17％居次，但仍希望在5納米、3納米制程追上什至超越臺積電。
三星確定采用新一代生產技術EUV光刻機的量產體制，計劃用十年的時間來挑戰臺積電世界首位的地位。
三星要想實現篡位目標，非得加大EUV采購不可。ASML包括已交付和已接單的EUV總數約70臺，臺積電就過半，三星已啟用10臺，就算加上李在镕親催提早交貨9臺，數量上勉強可以暫時逼近臺積電已啟用的20幾臺。
結尾：
三星想要在十年的時間里要超越臺積電搶占第一，看來還是有一定的難度。不過三十年河西，三十年河東，只能說這個一個富有挑戰的目標，而至于結果還得等到那時候揭曉。