在“2020北京微電子國際研討會暨IC World學術(shù)會議”上，長江存儲科技有限責任公司CEO楊士寧發(fā)表了《新形勢下中國芯片制造突圍的新路徑》的主題演講，其中，楊士寧講到，要在三維集成上尋找突圍之路，他指出，集成電路由二維向三維發(fā)展是必行趨勢。這可能不是一條唯一的路徑，但確是一條需要強烈探索的路徑。
2017年年底，長江存儲正式推出了國產(chǎn)首個32層 3D NAND閃存，2018年8月又推出自家的獨門絕技Xtacking架構(gòu)。
據(jù)悉，傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度?？偨Y(jié)下來， Xtacking技術(shù)具有四方面優(yōu)勢：一是速度快，具有更好的性能表現(xiàn);二是工藝更結(jié)實;三是成本可控，因為密度高;四是具有更高的靈活性。
21ic家注意到，有了創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)，長江存儲加快了新產(chǎn)品的研發(fā)進度，2020年4月，長江存儲搶先推出了128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070。
據(jù)楊士寧透露，目前長江存儲的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準，下一步就是解決產(chǎn)能的問題，值得注意的是，長江存儲用3年時間完成了國際大廠們6年走過的路，走出了一條中國存儲制造的突圍之路。
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