日前，Digitiems Research發表報告指出，2nm有望在2024年實現量產。他們指出，2022~2025年主要晶圓代工業者亦有新產能開出規劃，先進工藝如3納米產能將在2022年底前實現量產，DIGITIMES Research強調，若維持2年推進一個世代工藝，最快2024年可實現2納米量產。

　　臺積電2nm工藝進展順利

　　據國外媒體報道上月報道，今年一季度順利量產5nm工藝的臺積電，正在研發更先進的3nm和2nm芯片制程工藝，3nm工藝是計劃在明年風險試產，2022年下半年大規模投產。3nm工藝投產之后，臺積電下一步將投產的就將是2nm工藝，在2019年的年報中，臺積電首次披露他們在研發2nm工藝。

　　外媒稱臺積電2nm工藝的研發已取得重大進展，研發進入了高級階段，先于他們的計劃。

　　在量產時間方面，外媒在報道中指出，臺積電對2nm工藝在2023年年底的風險試產良品率達到90%非常樂觀。外媒根據目前的研發進展推測，臺積電的2nm工藝將在2023年風險試產，2024年大規模投產。

　　臺積電的2nm工藝若如外媒報道的那樣在2023年風險試產、隨后一年大規模投產，也就意味著他們仍將保持兩年投產一代新工藝的節奏。臺積電的7nm工藝是在2018年的4月份大規模投產的，5nm工藝在今年一季度投產，中間相隔約兩年；5nm之后的3nm工藝，計劃在2021年風險試產、2022年下半年大規模投產，雖然距5nm工藝大規模投產的時間間隔超過兩年，但量產時間大概率會提前，屆時間隔預計也在兩年左右。

　　對于臺積電的2nm工藝，外媒此前曾報道稱將會采用環繞柵極晶體管技術（GAA），不會繼續采用鰭式場效應晶體管技術。來自Digitimes的最新報道稱，臺積電2nm GAA工藝研發進度提前，目前已經結束了路徑探索階段。

　　2nm工藝在2023年開始風險試產，也就意味著臺積電需要開始謀劃利用2nm工藝生產芯片的工廠。對于工廠，外媒在上周的報道中曾提到，臺積電負責營運組織的資深副總經理秦永沛，透露他們計劃在新竹建設2nm工藝的芯片生產工廠，建設工廠所需的土地已經獲得。臺積電董事長劉德音目前也透露，他們可能會擴建位于臺中的晶圓十五廠，以增加2nm工藝的產能。

　　三星能彎道超車嗎？

　　不同于臺積電，三星提早在3 納米就打算采用GAA ，意圖在此技術上彎道超車臺積電，但臺積電研發多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關鍵技術，及EUV 運用經驗，將能使良率提升更順利。

　　所以不少法人預期，若2 納米在2023 年即能投產，三星就算在彎道恐怕也超不了車。就目前臺積電所公布的制程推進現況來看，采用EUV 的5 納米良率已快速追上7 納米，顯見臺積電在良率提升上的底蘊，甚至有業界人士預期風險試產良率即可到9 成。三星雖提前量產3 納米GAA，但在性能上未必能壓過臺積電，而GAA 良率上的落差可能也不會如預期般明顯，且據傳2 納米背后還有蘋果的研發能量支持。

　　不過未來半導體制程將會更加競爭，不僅是三星，英特爾的SuperFin 技術也不可小覷，雖然納米節點時程落后，但實際性能并不真的多差。早有輿論認為，臺積電及三星的制程競逐，很多只是數字游戲，而英特爾其實相對踏實，就實際電晶體密度等指標來看，新的英特爾10 納米強化版已接近臺積電5 納米，是非常大的單一節點升級。

　　只要英特爾也敢忍痛殺價，SuperFin 仍然很有高階市場的競爭力，就如同三星8 納米已打出成績一般，臺積電雖然還占有優勢，但仍不能輕敵。