臺積電沖刺先進制程，在 2nm 研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術 （gate-all-around，簡稱 GAA）技術。

　　臺媒稱，三星已決定在 3nm 率先導入 GAA 技術，并宣稱要到 2030 年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入 2nm 研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入 GAA 路徑。

　　臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。

　　臺積電 3nm 制程預計明年上半年在南科 18 廠 P4 廠試產、2022 年量產，業(yè)界以此推斷，臺積電2nm 推出時間將在 2023 年到 2024 年間。

　　臺積電今年 4 月曾表示，3nm 仍會沿用 FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，主要考慮是客戶在導入 5nm 制程后，采用同樣的設計即可導入 3nm 制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產品 。

　　臺積電成立于 1987 年，是全球最大的晶圓代工半導體制造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位于臺灣新竹的新竹科學工業(yè)園區(qū)。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為 2330，另有美國存托憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為 TSM。