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三星發布HBM2E存儲芯片

2020-03-10
來源:一起聊IT

近日,三星發布了一款名為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,預計將在今年上半年開始量產。

據悉,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現16GB容量,最高可提供3.2Gbps的穩定數據傳輸速度。

全新的HBM2E記憶體“Flashbolt”采用三星1ynm制程工藝,單顆最大容量為16GB,由16Gb的單Die通過8層堆迭而成。三星官方介紹說,全新的“Flashbolt”在頻寬上面有比較明顯的提升,在默認的3.2Gbps下,單顆HBM2E就可以提供高達410GB/s的頻寬,1秒內便可傳輸82部 Full HD (5GB)全高清畫質的影片。

至于三星內部測試自家全新的“Flashbolt”存儲芯片,在“超頻”后可以達到最高4.2Gbps的傳輸速率,頻寬更高達538GB/s,比上代產品高出75%。

按照三星官方的說法,全新的HBM2E存儲芯片將會在今年上半年開始量產,特別適用于HPC高性能運算系統,并可幫助系統制造商及時改進其超級電腦、AI驅動的數據分析以及最新的圖形系統。


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