隨著硅材料的負載量逐漸接近極限，以硅為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。人們遂將目光投向以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬帶隙半導體材料。其中，SiC作為目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料最受重視，被業內公認為最具發展前景的“一種未來的材料”，預計在今后5~10年將會取得快速發展并有顯著成果出現。目前世界各國都在SiC領域投入重資，意圖能夠在硅基半導體以外保持自己國家在IC產業的領先地位。
作為SiC功率元器件的領先企業，羅姆日前在北京召開媒體會，羅姆半導體(北京)有限公司技術中心所長水原德健先生詳細介紹了SiC的市場動向和羅姆的產品戰略。
羅姆半導體（北京）有限公司技術中心 所長 水原德健
SiC功率元器件的性能優勢
SiC是以1：1的比例，用硅和碳生成的化合物半導體材料。在生產流程中，專門的SiC晶片在工廠中開發和加工，從而形成基于SiC的功率半導體。基于SiC的功率半導體和其競爭技術是專用晶體管，可在高電壓下切換電流。
水原德健先生針對半導體功率元器件中最主要的三種材料--Si、SiC和GaN，從物理特性上做了一一對比。與傳統的硅基功率半導體器件相比，SiC功率器件擊穿場強度更強，耐電壓更高，是同等硅器件耐壓的10倍，更適合應用于高壓器件；其次，SiC的熔點更高，可以耐高溫，大約是硅的3倍以上；第三，SiC的電子飽和速度會更快，功率器件的頻率可以做的更高；第四，SiC的熱傳導性很高，易于冷卻；最后，SiC的的禁帶寬度會更寬一些，這樣可以使得工作溫度做的更好。
SiC優異的材料特性
由于SiC具有上述物理特性，基于SiC的功率元器件相比硅基功率元器件，其性能上就更具優勢，例如更低的阻抗、更高的頻率、更好地散熱效果。反映到芯片上，最大的好處就是可以把芯片做小，同時保持很好的高頻特性、高溫特性和更高效率。因此基于SiC的功率元器件在汽車或者工控行業用的比較多。以5000W DC/DC舉例， IGBT產品的重量要達到將近7kg左右，體積大約是8升甚至更大。如果使用SiC功率元器件，重量可以降到原來的1/8左右。而且由于芯片體積減小了，功耗更低，散熱板也變小了。同時頻率的提高了，也會帶動整個周邊器件（包括變壓器、線圈）都可以做的很小。從而可以采用水冷降溫或用一些很小的散熱板，進一步減小芯片面積。因此使用SiC功率元器件，不僅可以令系統成本下降，性能顯著提高，還可以將系統尺寸大幅縮減。
功率半導體器件的使用場景
水原德健先生指出，目前Si產品在市場應用最多的還是在光伏、大數據和服務器方面，這是SiC產品比較成熟的應用場景。接下來用的比較多的將會是新能源汽車、各種充電站和電源，還有一些家電產品上，但家電產品目前僅限于日本。另外當前SiC產品還是以1700V和1200V為主，所以在風能上用的比較少一些，未來如果能突破3300V，風能也將是很大的一個市場。隨著電壓進一步提高到3600V甚至5000V以上，SiC在鐵路上也將迎來廣闊的應用前景。
羅姆的SiC發展策略
羅姆從2000年通過產學合作方式開始了SiC產品的研發；2009年收購了德國一家主要做碳化硅柱、碳化硅襯底的晶圓廠SiCrystal；于2010年實現了SiC肖特基的量產；2010年底同時量產了SiC的MOS，成為全球首家量產SiC MOS的企業；2012年羅姆量產了SiC的模塊，同樣是全球首家量產的企業；2015年量產了溝槽型SiC MOS。現在羅姆的晶圓可以做到六英寸。
羅姆SiC芯片產品陣容
羅姆的SiC產品分成三類，SiC的肖特基、SiC的MOS和SiC的功率模塊。未來，SiC肖特基的發展趨勢是晶圓做得越來越大，由原來的4英寸轉化為現在的6英寸，還有就是封裝做得越來越多元化。SiC MOS產品除了晶圓尺寸變大之外，還會將電流和電壓做大，同樣封裝也會變得越來越豐富，便于工控產品上更方便地使用。第二個就是車規品更多一些，第三個就是說把封裝做的越來越全一些，越來越豐富一些。
除了具體的產品以外，羅姆的生產體制也非常有特色，遵循IDM生產體制。在SiC制作工藝上，首先是碳化硅柱，然后經切片到晶圓，晶圓切出來之后，還要在晶圓上進行各種各樣的光耦合，做成芯片，然后進行封裝。在這整個的過程中，從碳化硅原材料開始，一直到最后的封裝組裝，羅姆全部都是自行完成的，因此可以給客戶提供長期穩定，高品質的供貨。
水原德健先生認為，SiC市場的競爭點有兩個，一是技術二是原材料，只有解決了這兩個問題，才有可能在未來的拼殺中有生存的希望。這也是為什么羅姆在2009年收購SiCrystal的原因所在。同時，水原德健先生還透露，在未來，羅姆在SiC產品上會階段性的繼續投資持續投資，到2025年預計累計投資850億日元。SiC的生產能力到2021年會達到2017年的6倍，2025年時將會達到2017年的16倍。