EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。

　　EUV微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過(guò)，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。

　　極紫外光（extreme ultraviolet;EUV）微影技術(shù)將在未來(lái)幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過(guò)，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)（Industry Strategy Symposium;ISS 2018）所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑（photoresist）仍存在挑戰(zhàn)。

　　同時(shí)，EUV制造商ASML宣布去年出貨了10臺(tái)EUV系統(tǒng)，今年將再出貨20至22臺(tái)。 該系統(tǒng)將擁有或至少可支持每小時(shí)生產(chǎn)125片晶圓所需的250W雷射光源。

　　IC Knowledge總裁Scotten Jones表示：「在7nm采用EUV的主要部份已經(jīng)到位，但對(duì)于5nm來(lái)說(shuō)，光阻劑的缺陷仍然高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。 」

　　經(jīng)過(guò)20多年的發(fā)展，新的和昂貴的系統(tǒng)均有助于為下一代芯片提供所需的優(yōu)質(zhì)特性，并縮短制造時(shí)間。 Scotten說(shuō)，這些系統(tǒng)將首先用于制造微處理器等邏輯芯片，隨后再應(yīng)用于DRAM，但現(xiàn)今的3D NAND閃存芯片已經(jīng)不適用了。

　　「EUV大幅減少了開(kāi)發(fā)周期以及邊緣定位的誤差。。.，但成本降低的不多，至少一開(kāi)始時(shí)并不明顯。 此外，還有其他很多的好處，即使沒(méi)什么成本優(yōu)勢(shì)，它仍然具有價(jià)值。 」

　　Jones預(yù)計(jì)，ASML將在2019-2020年之間再出貨70臺(tái)系統(tǒng)。 這將足以支持在Globalfoundries、英特爾（Intel）、三星（Samsung）和臺(tái)積電（TSMC）規(guī)劃中的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。

　　除了EUV系統(tǒng)本身，其他重要的挑戰(zhàn)還包括薄膜、光罩測(cè)試儀和抗蝕劑

　　Jones表示，ASML計(jì)劃將系統(tǒng)的正常運(yùn)行時(shí)間從現(xiàn)在的75%提高到90%，這同時(shí)也是微影技術(shù)業(yè)者最關(guān)切的問(wèn)題。 此外，他表示相信該公司將會(huì)及時(shí)發(fā)布所需的薄膜，以保護(hù)EUV晶圓避免微塵的污染。

　　為了開(kāi)發(fā)針對(duì)5nm可用的抗蝕劑，「我們有12到18個(gè)月的時(shí)間來(lái)進(jìn)行重大改善。 業(yè)界將在明年產(chǎn)出大量晶圓，這將有所幫助。 」Jones并估計(jì)，到2019年晶圓廠將生產(chǎn)近100萬(wàn)片EUV晶圓，到了2021年更將高達(dá)340萬(wàn)片晶圓。

　　ASML的目標(biāo)是在2020年時(shí)，將其250W光源所能達(dá)到的每小時(shí)145片晶圓的吞吐量提高到155片/時(shí)。 ASML企業(yè)策略和營(yíng)銷(xiāo)副總裁Peter Jenkins在ISS上指出，該公司已經(jīng)展示實(shí)驗(yàn)室可行的375W光源了。

　　目前該公司的薄膜已經(jīng)能通過(guò)83%的光線了，至今也以245W光源進(jìn)行超過(guò)7，000次的晶圓曝光測(cè)試了。 然而，第二代7nm節(jié)點(diǎn)在搭配用于250W或更高的光源時(shí)，預(yù)計(jì)還需要一個(gè)傳輸率達(dá)到90%的薄膜。